$[M(H_2O)_6]^{2+}$ સંકીર્ણ સામાન્ય રીતે $600 \ nm$ ની આસપાસ શોષણ કરે છે. તેની એમોનિયા સાથે પ્રક્રિયા કરીને નવું સંકીર્ણ $[M(NH_3)_6]^{2+}$ બને છે, જેનું શોષણ ....... $nm$ પર હોવું જોઈએ.

અષ્ટફલકીય ક્ષેત્રમાં $d^{4}$ ધાતુ આયન માટે,સાચી ઇલેક્ટ્રોનિક ગોઠવણી કઈ છે?

હાઈ સ્પિન કોમ્પ્લેક્સ માટે નીચેનામાંથી કયું સાચું છે?

સંકીર્ણ આયન $[CoF_6]^{3-}$ માં અયુગ્મિત ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા કેટલી છે? ($Co$ નો પરમાણુ ક્રમાંક = $27$).

$d^3$, $d^4$ (લો સ્પિન), $d^5$ (હાઈ સ્પિન), $d^6$ (હાઈ સ્પિન) અને $d^7$ (લો સ્પિન) અષ્ટફલકીય સંકીર્ણ પ્રણાલીઓમાં હાજર અયુગ્મિત ઇલેક્ટ્રોનની કુલ સંખ્યા . . . . . . છે.

લિસ્ટ-$I$ ને લિસ્ટ-$II$ સાથે જોડો. નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાચો જવાબ પસંદ કરો:
| લિસ્ટ-$I$ (સંકીર્ણ આયન) | લિસ્ટ-$II$ (ઇલેક્ટ્રોન રચના) |
| :--- | :--- |
| $A. [Cr(H_2O)_6]^{3+}$ | $I. t_{2g}^2 e_g^0$ |
| $B. [Fe(H_2O)_6]^{3+}$ | $II. t_{2g}^3 e_g^0$ |
| $C. [Ni(H_2O)_6]^{2+}$ | $III. t_{2g}^3 e_g^2$ |
| $D. [V(H_2O)_6]^{3+}$ | $IV. t_{2g}^6 e_g^2$ |