विद्युत अपघट्य के बहुत तनु विलयन के लिए,निम्न | vedclass

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Question

(B) विलयन का परासरण दाब $(\pi)$ वैन हॉफ समीकरण द्वारा दिया जाता है: $\pi = iCRT$,जहाँ $i$ वैन हॉफ कारक है,$C$ मोलर सांद्रता है,$R$ गैस स्थिरांक है और

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$\pi \propto 1/	ext{आण्विक द्रव्यमान}$

Vedclass · Answer

(B) विलयन का परासरण दाब $(\pi)$ वैन हॉफ समीकरण द्वारा दिया जाता है: $\pi = iCRT$,जहाँ $i$ वैन हॉफ कारक है,$C$ मोलर सांद्रता है,$R$ गैस स्थिरांक है और $T$ तापमान है।बहुत तनु विलयन के लिए,मोलर सांद्रता $C$ मोललता $m$ के लगभग बराबर होती है क्योंकि विलयन का घनत्व विलायक के घनत्व के लगभग बराबर होता है।यदि हम मोलरता $C = n/V$ की परिभाषा पर विचार करें,जहाँ $n$ मोलों की संख्या है $(n = 	ext{द्रव्यमान}/	ext{आण्विक द्रव्यमान})$,तो $\pi = (i 	imes 	ext{द्रव्यमान} 	imes R 	imes T) / (	ext{आण्विक द्रव्यमान} 	imes V)$।अतः,विलेय के निश्चित द्रव्यमान और निश्चित आयतन के लिए,$\pi \propto 1/	ext{आण्विक द्रव्यमान}$।

विद्युत अपघट्य के बहुत तनु विलयन के लिए,निम्नलिखित में से कौन सा संबंध सही है? (अन्य मापदंडों को स्थिर मानें)

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