ठोस की सतह पर गैस के अधिशोषण के संदर्भ में,निम्नलिखित में से कौन सा कथन सत्य नहीं है?
- Aतापमान बढ़ने पर अधिशोषण लगातार बढ़ता है।
- Bएन्थैल्पी और एन्ट्रॉपी परिवर्तन ऋणात्मक होते हैं।
- Cअधिशोषण किसी विशेष पदार्थ के लिए विशिष्ट होता है।
- Dयह एक उत्क्रमणीय प्रक्रिया है।
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यदि $AgNO_3$ के तनु विलयन को $NaI$ के आधिक्य वाले तनु विलयन में मिलाया जाता है,तो $AgI$ कोलाइडल कणों पर अधिशोषित होने वाली स्पीशीज है:
रासायनिक अधिशोषण (chemical adsorption) के संबंध में निम्नलिखित में से कौन सा सत्य है?
Medium
View Solutionकथन $(A)$: वान डर वाल्स बल केमिसॉर्प्शन (रासायनिक अधिशोषण) के लिए जिम्मेदार हैं।
कारण $(R)$: उच्च तापमान केमिसॉर्प्शन के लिए अनुकूल है।
सही उत्तर है
कारण $(R)$: उच्च तापमान केमिसॉर्प्शन के लिए अनुकूल है।
सही उत्तर है
$300 \, K$ और $1 \, bar$ दाब पर $2.5 \, g$ प्लैटिनम पाउडर पर $2.0 \, g$ $H_2$ गैस अधिशोषित होती है। अधिशोषक के प्रति ग्राम अधिशोषित गैस का आयतन $..... \, mL$ है।
(दिया गया है: $R = 0.083 \, L \, bar \, K^{-1} \, mol^{-1}$)
(दिया गया है: $R = 0.083 \, L \, bar \, K^{-1} \, mol^{-1}$)
निम्नलिखित में से कौन सा कथन सही नहीं है?
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