હેક્ઝાગોનલ ક્લોઝ પેકિંગ $(hcp)$ અને ક્યુબિક ક્લોઝ પેકિંગ $(ccp)$ અથવા ફેસ-સેન્ટર્ડ ક્યુબિક $(fcc)$ રચનાઓ સમજાવો.

(A) જ્યારે ત્રીજું સ્તર બીજા સ્તર પર મૂકવામાં આવે છે,ત્યારે બે શક્યતાઓ રહેલી છે:
- $(i)$ સમચતુષ્ફલકીય છિદ્રોને ઢાંકવા: જ્યારે ત્રીજા સ્તરના ગોળાઓ બીજા સ્તરના સમચતુષ્ફલકીય છિદ્રોને ઢાંકે છે,ત્યારે ત્રીજા સ્તરના ગોળાઓ પ્રથમ સ્તરના ગોળાઓ સાથે બરાબર રીતે ગોઠવાય છે. ગોળાઓની આ ભાત એકાંતરે પુનરાવર્તિત થાય છે અને તેને $ABAB$ ભાત તરીકે લખવામાં આવે છે. આ રચનાને હેક્ઝાગોનલ ક્લોઝ પેક્ડ $(hcp)$ રચના કહેવામાં આવે છે. ઉદાહરણ: $Zn$ અને $Mg$ ધાતુઓ આ રચના દર્શાવે છે.
- $(ii)$ અષ્ટફલકીય છિદ્રોને ઢાંકવા: જ્યારે ત્રીજા સ્તરના ગોળાઓ બીજા સ્તરના અષ્ટફલકીય છિદ્રોને ઢાંકે છે,ત્યારે ત્રીજા સ્તરના ગોળાઓ પ્રથમ કે બીજા સ્તરના ગોળાઓ સાથે ગોઠવાતા નથી. આ ગોઠવણીને પ્રકાર $C$ કહેવામાં આવે છે.
- જ્યારે ચોથું સ્તર મૂકવામાં આવે છે,ત્યારે ગોળાઓ પ્રથમ સ્તર સાથે બરાબર રીતે ગોઠવાય છે. સ્તરોની આ ભાતને $ABCABC...$ તરીકે લખવામાં આવે છે.
- આને ક્યુબિક ક્લોઝ પેક્ડ $(ccp)$ અથવા ફેસ-સેન્ટર્ડ ક્યુબિક $(fcc)$ રચના કહેવામાં આવે છે. ઉદાહરણ: $Cu$ અને $Ag$ જેવી ધાતુઓ આ રચનામાં સ્ફટિકીકરણ પામે છે.
- બંને પ્રકારના ક્લોઝ પેકિંગ અત્યંત કાર્યક્ષમ છે અને સ્ફટિકના $74 \%$ અવકાશને રોકે છે. અહીં,દરેક ગોળો $12$ અન્ય ગોળાઓના સંપર્કમાં હોય છે. તેથી,બંને રચનાઓમાં સવર્ગ આંક $12$ છે.