નીચેનામાંથી કઈ ઇલેક્ટ્રોનિક રચના કેન્દ્રની વધુ નજીક છે: $4s^2 3d^{10}$ કે $4s^0 3d^{10}$?

  • A
    $4s^2 3d^{10}$
  • B
    $4s^0 3d^{10}$
  • C
    બંને સમાન અંતરે છે
  • D
    આપેલ પૈકી કોઈ નહીં

Explore More

Similar Questions

નીચેનામાંથી કઈ સ્પીસીઝમાં $d_{xy}$ કક્ષકમાં મહત્તમ સંખ્યામાં ઇલેક્ટ્રોન હોવા જોઈએ?

Difficult
View Solution

$d-$ કક્ષકોની નીચેનામાંથી કઈ જોડીમાં અક્ષો પર ઇલેક્ટ્રોન ઘનતા હશે?

નીચેનામાંથી કયા ચાર ક્વોન્ટમ નંબરોના સેટ માટે,ઇલેક્ટ્રોન પાસે સૌથી વધુ ઉર્જા હશે?
$n$ $l$ $m$ $s$

નીચેના પૈકી કયો સેટ ડીજનરેટ (સમાન ઊર્જા ધરાવતી) કક્ષકો સૂચવે છે?

Difficult
View Solution

List-$I$ ને List-$II$ સાથે જોડો.
List-$I$ (ક્વોન્ટમ આંક) List-$II$ (આપેલી માહિતી)
$A$. $m_l$ $I$. કક્ષકનો આકાર
$B$. $m_s$ $II$. કક્ષકનું કદ
$C$. $l$ $III$. કક્ષકનું અભિવિન્યાસ
$D$. $n$ $IV$. ઇલેક્ટ્રોનનું સ્પિન અભિવિન્યાસ

નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાચો જવાબ પસંદ કરો:

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo