2s અને 2p ઇલેક્ટ્રોનમાંથી કયા ઇલેક્ટ્રોન આંતર | vedclass

Name: Exam Paper Generator | JEE NEET Paper Generator | Vedclass
Brand: Vedclass
Rating: 5 (35 reviews)

Question

(B) શીલ્ડિંગ અસર કક્ષકોની પેનિટ્રેશન શક્તિ (penetration power) પર આધાર રાખે છે. પેનિટ્રેશન શક્તિનો ક્રમ $s > p > d > f$ છે. $2s$ કક્ષક $2p$ કરતા વધુ પ

Vedclass · Accepted Answer

$2p$ ઇલેક્ટ્રોન

Vedclass · Answer

(B) શીલ્ડિંગ અસર કક્ષકોની પેનિટ્રેશન શક્તિ (penetration power) પર આધાર રાખે છે. પેનિટ્રેશન શક્તિનો ક્રમ $s > p > d > f$ છે. $2s$ કક્ષક $2p$ કરતા વધુ પેનિટ્રેટિંગ હોવાથી,$2s$ ઇલેક્ટ્રોન કેન્દ્રની વધુ નજીક હોય છે અને આંતરિક ઇલેક્ટ્રોન દ્વારા ઓછી શીલ્ડિંગ અસર અનુભવે છે. તેથી,$2p$ ઇલેક્ટ્રોન ઓછી પેનિટ્રેશન શક્તિ ધરાવે છે,કેન્દ્રથી દૂર હોય છે અને આંતરિક કક્ષાઓ દ્વારા વધારે શીલ્ડિંગ અસર અનુભવે છે.

$2s$ અને $2p$ ઇલેક્ટ્રોનમાંથી કયા ઇલેક્ટ્રોન આંતરિક કક્ષાઓ દ્વારા વધારે શીલ્ડિંગ અસર અનુભવે છે?

Similar Questions

શીલ્ડિંગ અસર (shielding effect) ઉદાહરણ સાથે સમજાવો. તેમજ સમૂહ અને આવર્તમાં $2s-2p$ અભિગમ સમજાવો.

કોઈપણ સમાન પેટાકોશમાં કક્ષકોની ઊર્જા અને પરમાણ્વીય-ક્રમાંક વચ્ચેનો સંબંધ ઉદાહરણ સાથે સમજાવો.

ઓક્સિજન પરનો કોર ચાર્જ $-$ ની બરાબર છે.

પરમાણુની આપેલી કક્ષાના $s, p, d$ અને $f$-ઓર્બિટલ્સ વચ્ચે તેની બાહ્ય કક્ષાના ઇલેક્ટ્રોન પર સ્ક્રીનિંગ અસરનો ક્રમ શું છે?

Vedclass Test Series

Exam Paper Generator

Online Exam Module