$1 \,W$ शक्ति के बिंदु स्रोत से $1 \,m$ की दूरी पर एक कोबाल्ट $(Co)$ प्लेट रखी गई है। मान लीजिए कि प्लेट का $r = 1 \,Å$ त्रिज्या वाला एक वृत्ताकार क्षेत्र विकिरण के संपर्क में है और फोटो-इलेक्ट्रॉन उत्सर्जित करता है। प्रकाश ऊर्जा को समान रूप से फैला हुआ माना जाता है और कोबाल्ट का कार्य फलन (work function) $5 \,eV$ है। फोटो-इलेक्ट्रॉन उत्सर्जित करने के लिए लक्ष्य को प्रकाश स्रोत के संपर्क में कितने न्यूनतम समय के लिए रखा जाना चाहिए (यह मानते हुए कि कोई परावर्तन हानि नहीं है) ($\,s$ में)?

  • A
    $320$
  • B
    $450$
  • C
    $860$
  • D
    $100$

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सिल्वर के लिए फोटोइलेक्ट्रिक थ्रेशोल्ड तरंगदैर्ध्य $\lambda_{0}$ है। $\lambda$ $(\lambda < \lambda_{0})$ आपतित तरंगदैर्ध्य द्वारा सिल्वर की सतह से उत्सर्जित इलेक्ट्रॉन की ऊर्जा क्या होगी?

एक धातु का कार्य फलन (work function) $2.3 \text{ eV}$ है और जब इस पर एक फोटॉन आपतित होता है,तो फोटोइलेक्ट्रॉन की अधिकतम गतिज ऊर्जा $0.3 \text{ eV}$ होती है। आपतित फोटॉन की तरंगदैर्घ्य $\mathring A$ में ज्ञात कीजिए।

प्रकाश-विद्युत प्रभाव प्रयोग के संबंध में निम्नलिखित कथनों पर विचार करें:
$(I)$ धातु पर प्रकाश पड़ते ही फोटोइलेक्ट्रॉन उत्सर्जित हो जाते हैं।
$(II)$ एक न्यूनतम आवृत्ति होती है जिसके नीचे कोई फोटो-करंट नहीं देखा जाता है।
$(III)$ निरोधी विभव (stopping potential) प्रकाश की आवृत्ति के समानुपाती होता है।
$(IV)$ फोटो-करंट प्रकाश की तीव्रता के साथ रैखिक रूप से बदलता है।
उपरोक्त में से कौन से कथन यह दर्शाते हैं कि प्रकाश क्वांटा (फोटॉन) से बना है जिनकी ऊर्जा आवृत्ति के समानुपाती होती है?

$v_1$ की आपतित विकिरण आवृत्ति पर,जो देहली आवृत्ति से अधिक है,एक निश्चित धातु के लिए निरोधी विभव (stopping potential) $V_1$ है। $2 v_1$ आवृत्ति पर निरोधी विभव $3 V_1$ है। यदि $4 v_1$ आवृत्ति पर निरोधी विभव $n V_1$ है,तो $n$ का मान ज्ञात कीजिए।

एक प्रकाश-संवेदी पदार्थ की देहली आवृत्ति $v$ है। जब $2v$ आवृत्ति के फोटॉन पदार्थ पर आपतित होते हैं,तो फोटोइलेक्ट्रॉन अधिकतम रैखिक संवेग $P$ के साथ उत्सर्जित होते हैं। अधिकतम रैखिक संवेग $2P$ वाले फोटोइलेक्ट्रॉन प्राप्त करने के लिए,आपतित फोटॉनों की आवृत्ति क्या होनी चाहिए ($v$ में)?

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