$2.8 \ eV$ के बैंड गैप वाले अर्धचालक से एक $p-n$ जंक्शन बनाया गया है। यह किस अनुमानित तरंगदैर्ध्य का पता नहीं लगा सकता है ($nm$ में)?
[ $h = 6 \times 10^{-34} \ J \cdot s$ और $c = 3 \times 10^8 \ m/s$ का उपयोग करें ]

कथन $-I$: एक फोटोडायोड रिवर्स बायस में कार्य करता है।
कथन $-II$: माइनॉरिटी कैरियर द्वारा नियंत्रित रिवर्स बायस करंट पर फोटो-इफेक्ट के कारण होने वाला आंशिक परिवर्तन,फॉरवर्ड बायस करंट में होने वाले आंशिक परिवर्तन की तुलना में अधिक आसानी से मापने योग्य होता है।

$LED$ के मामले में निम्नलिखित में से कौन सा कथन सही नहीं है?

एक $LED$ को एक $pn$ जंक्शन से बनाया गया है जो एक निश्चित अर्धचालक पदार्थ पर आधारित है,जिसका ऊर्जा अंतराल (energy gap) $1.9 \ eV$ है। तो उत्सर्जित प्रकाश की तरंगदैर्ध्य क्या होगी?

ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरण क्या हैं? ऐसे प्रमुख उपकरणों के नाम बताइए।

सौर सेल के लिए $Si$ और $GaAs$ को पसंदीदा सामग्री क्यों माना जाता है?