$A$ और $B$ तत्वों से बना एक यौगिक ($A_x B_y$ सामान्य सूत्र के साथ), जहाँ $B$ एक $hcp$ जालक बनाता है और $A$ चतुष्फलकीय रिक्तियों (tetrahedral voids) के $2/3$ भाग को घेरता है। यौगिक का सूत्र है

$fcc$ इकाई सेल की परमाणु त्रिज्या है:

द्विविमीय षट्कोणीय निविड संकुलन से त्रिविमीय निविड संकुलन की व्याख्या कीजिए। त्रिविम में फलक-केंद्रित घनीय $(FCC)$ एकक कोष्ठिका और षट्कोणीय निविड संकुलन $(HCP)$ के निर्माण की व्याख्या कीजिए।

$Ga$ (परमाणु द्रव्यमान $70 \, u$) षट्कोणीय क्लोज़ पैक्ड $(HCP)$ संरचना में क्रिस्टलीकृत होता है। $0.581 \, g$ $Ga$ में रिक्तियों (voids) की कुल संख्या $\dots \dots \dots \dots \dots \times 10^{21}$ है। (निकटतम पूर्णांक में पूर्णांकित करें)।

एक ठोस यौगिक में,$A$ के परमाणु फलक-केंद्रित घनीय $(fcc)$ जालक बनाते हैं,जबकि $B$ के परमाणु सभी अष्टफलकीय रिक्तियों और आधी चतुष्फलकीय रिक्तियों पर स्थित हैं। ठोस का आणविक सूत्र ........ होगा।

यदि $AB$ जिंक ब्लेंड संरचना में क्रिस्टलीकृत होता है जिसमें $B^{-}$ आयन जालक बिंदुओं पर स्थित हैं,तो चतुष्फलकीय रिक्तियों (tetrahedral voids) का कितना प्रतिशत भाग $A^{+}$ आयनों द्वारा भरा जाता है? ............... $\%$