चित्र में दिखाए अनुसार एक $2 \ V$ की सेल को बिंदुओं $A$ और $B$ के बीच जोड़ा गया है। मान लीजिए कि प्रत्येक डायोड का प्रतिरोध फॉरवर्ड बायस में शून्य और रिवर्स बायस में अनंत है। सेल द्वारा आपूर्ति की गई धारा है ($A$ में)

जैसा कि चित्र में दिखाया गया है,एक डायोड को बाहरी प्रतिरोधक से जोड़ा गया है। मान लीजिए कि डायोड में उत्पन्न बैरियर विभव $0.5 \ V$ है। परिपथ में धारा का मान मिली एम्पियर में ज्ञात कीजिए। ($mA$ में)

निम्नलिखित कथनों के संदर्भ में कौन सा सही है? $n$ से $p$-साइड की ओर इलेक्ट्रॉनों के विसरण (diffusion) के कारण:
$I$. अवक्षय (depletion) क्षेत्र में इलेक्ट्रॉन जमा हो जाते हैं।
$II$. इलेक्ट्रॉन ड्रिफ्ट धारा $p$-साइड से $n$-साइड की ओर होती है।
$III$. $n$-क्षेत्र में एक आयनित दाता (donor) शेष रह जाता है।
$IV$. $n$-साइड के इलेक्ट्रॉन $p$-साइड में आते हैं और $p$-साइड में इलेक्ट्रॉन-होल संयोजन होता है।
निम्नलिखित में से सही विकल्प चुनें।

$PN-$जंक्शन डायोड की फॉरवर्ड बायस व्यवस्था में:

एक $P-N$ जंक्शन में $0.5 \ V$ का विभव प्राचीर (potential barrier) है। यदि अवक्षय परत (depletion region) $5 \times 10^{-7} \ m$ चौड़ी है,तो इस क्षेत्र में विद्युत क्षेत्र की तीव्रता क्या होगी?

दी गई परिपथ में $V_{AB}$ का मान ज्ञात कीजिए।