આપેલ ઇલેક્ટ્રોનિક સંક્રમણ માટે,નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

નીચેનામાંથી સાચા વિધાનો ઓળખો:
$A$. હાઈઝનબર્ગનો અનિશ્ચિતતાનો સિદ્ધાંત ઈલેક્ટ્રોન માટે લાગુ પડે છે.
$B$. $2p_x$ કક્ષકનું કદ $3p_x$ કક્ષકના કદ કરતા નાનું છે.
$C$. $H$ પરમાણુની $2s$ કક્ષકની ઉર્જા $Li$ ની $2s$ કક્ષકની ઉર્જા જેટલી જ છે.
$D$. $Cr$ ની ઈલેક્ટ્રોનીય રચના $[Ar]3d^5 4s^1$ છે.

પરમાણુમાં રહેલા ઇલેક્ટ્રોન માટે નીચેનામાંથી કયું/કયા વિધાન સાચું/સાચા છે?
$A$. અનિશ્ચિતતાનો સિદ્ધાંત ઇલેક્ટ્રોન માટે ચોક્કસ માર્ગોના અસ્તિત્વને નકારે છે.
$B$. પરમાણુની $2s$ કક્ષકમાં રહેલા ઇલેક્ટ્રોનની ઉર્જા,કેન્દ્રથી અનંત અંતરે રહેલા ઇલેક્ટ્રોનની ઉર્જા કરતા ઓછી હોય છે.
$C$. બોહરના મોડેલ મુજબ,ઇલેક્ટ્રોન માટે સૌથી વધુ ઋણ ઉર્જાનું મૂલ્ય $n=1$ દ્વારા આપવામાં આવે છે,જે સૌથી સ્થિર કક્ષા દર્શાવે છે.
$D$. બોહરના મોડેલ મુજબ,ઇલેક્ટ્રોનના વેગનું મૂલ્ય $n$ ના મૂલ્યોમાં વધારા સાથે વધે છે.

કયું વિધાન ખોટું છે?

યોગ્ય જોડકાં જોડો:

વિભાગ-$I$	વિભાગ-$II$
$(1)$ ફોટોન	$(A)$ $N$ કક્ષા માટે $4$ નું મૂલ્ય
$(2)$ ઇલેક્ટ્રોન	$(B)$ સંભાવ્ય ઘનતા
$(3)$ $\psi^2$	$(C)$ હંમેશાં $+$ મૂલ્ય
$(4)$ મુખ્ય ક્વોન્ટમ અંક $(n)$	$(D)$ તરંગલંબાઈ અને વેગમાન દર્શાવે છે

ઇલેક્ટ્રોનની નીચેનામાંથી કઈ ગોઠવણી સૌથી વધુ સ્થાયી હોવાની શક્યતા છે?