જો કોપર અને જર્મેનિયમના ટુકડાને ઓરડાના તાપમાનથી $77 \ K$ તાપમાન સુધી ઠંડા કરવામાં આવે,તો તેમનો અવરોધ:

સિલિકોનનો એનર્જી ગેપ $1.14 \ eV$ છે. જે મહત્તમ તરંગલંબાઈ પર સિલિકોન ઉર્જાનું શોષણ કરવાનું શરૂ કરશે તે છે

અર્ધવાહક (semiconductor) માટે નીચેના વિધાનો ધ્યાનમાં લો:
$(A)$ $0 \ K$ તાપમાને કોઈ મુક્ત ઇલેક્ટ્રોન હોતા નથી.
$(B)$ કોઈપણ તાપમાને મુક્ત ઇલેક્ટ્રોન હોતા નથી.
$(C)$ તાપમાન વધવાની સાથે મુક્ત ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા વધે છે.
$(D)$ મુક્ત ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા વાહક (conductor) કરતા ઓછી હોય છે.

સાચું વિધાન પસંદ કરો. અર્ધવાહકોમાં,વેલેન્સ બેન્ડ અને કન્ડક્શન બેન્ડ

ઓરડાના તાપમાને અર્ધવાહકની અવરોધકતા (resistivity) કોની વચ્ચે હોય છે?

$0\, K$ તાપમાને $N$ પરમાણુઓ ધરાવતા $Si$ અને $Ge$ ના ઉર્જા સ્તરો દોરીને સમજાવો.