Ge માટે ફોરબિડન એનર્જી ગેપ (forbidden energy | vedclass

Name: Exam Paper Generator | JEE NEET Paper Generator | Vedclass
Brand: Vedclass
Rating: 5 (35 reviews)

Question

(A) ફોરબિડન એનર્જી ગેપ $(E_g)$ એ વેલેન્સ બેન્ડ અને કન્ડક્શન બેન્ડ વચ્ચેનો ઊર્જાનો તફાવત છે.જર્મેનિયમ $(Ge)$ માટે,ઓરડાના તાપમાને $(300 \ K)$ ફોરબિડન એન

Vedclass · Accepted Answer

$0.72$

Vedclass · Answer

(A) ફોરબિડન એનર્જી ગેપ $(E_g)$ એ વેલેન્સ બેન્ડ અને કન્ડક્શન બેન્ડ વચ્ચેનો ઊર્જાનો તફાવત છે.જર્મેનિયમ $(Ge)$ માટે,ઓરડાના તાપમાને $(300 \ K)$ ફોરબિડન એનર્જી ગેપ આશરે $0.72 \ eV$ છે.સિલિકોન $(Si)$ માટે,ફોરબિડન એનર્જી ગેપ આશરે $1.1 \ eV$ છે.તેથી,સાચો વિકલ્પ $A$ છે.

$Ge$ માટે ફોરબિડન એનર્જી ગેપ (forbidden energy gap) ....... $eV$ છે.

Similar Questions

$Sn, C, Si$ અને $Ge$ બધા સમૂહ $XIV$ ના તત્વો છે. તેમ છતાં,$Sn$ વાહક છે,$C$ અવાહક છે જ્યારે $Si$ અને $Ge$ અર્ધવાહકો છે. શા માટે?

અર્ધવાહકની અવરોધકતા $........$ પર આધારિત છે.

નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

અર્ધવાહક (semiconductor) માં તાપમાન વધવાથી કન્ડક્શન બેન્ડમાં રહેલા ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા $(n_e)$ અને અવરોધ (resistance) પર શું અસર થશે?

Vedclass Test Series

Exam Paper Generator

Online Exam Module