P-N जंक्शन में,विभव (potential) के संबंध में | vedclass

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Question

(B) जब एक $P-N$ जंक्शन बनता है,तो सांद्रता प्रवणता के कारण इलेक्ट्रॉन $N$-क्षेत्र से $P$-क्षेत्र में विसरित (diffuse) होते हैं। इस विसरण के कारण जंक्श

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$P$-क्षेत्र में विभव $N$-क्षेत्र के विभव से अधिक होता है।

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(B) जब एक $P-N$ जंक्शन बनता है,तो सांद्रता प्रवणता के कारण इलेक्ट्रॉन $N$-क्षेत्र से $P$-क्षेत्र में विसरित (diffuse) होते हैं। इस विसरण के कारण जंक्शन के पास $N$-क्षेत्र में अचल धनात्मक आयन और $P$-क्षेत्र में ऋणात्मक आयन रह जाते हैं। यह $N$-क्षेत्र से $P$-क्षेत्र की ओर एक विद्युत क्षेत्र उत्पन्न करता है। परिणामस्वरूप,$P$-क्षेत्र का विभव $N$-क्षेत्र के विभव से अधिक हो जाता है,जिससे एक विभव प्राचीर (potential barrier) का निर्माण होता है।

$P-N$ जंक्शन में,विभव (potential) के संबंध में निम्नलिखित में से कौन सा कथन सही है?

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$D_1$ और $D_2$ दो आदर्श डायोड हैं। $i_1$ और $i_2$ के मान ज्ञात कीजिए।

यह मानते हुए कि जंक्शन डायोड आदर्श है, परिपथ आरेख में दिखाई गई व्यवस्था में धारा क्या होगी ($ mA$ में)?

रिवर्स बायस स्थिति में $P-N$ जंक्शन के डिप्लेशन लेयर में ....... होता है।

$p-n$ जंक्शन में विसरण (डिफ्यूजन) धारा का परिमाण अपवाह (ड्रिफ्ट) धारा से अधिक होता है जब:

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