$P-N$ जंक्शन को फॉरवर्ड बायस में तब कहा जाता है जब

  • A
    बैटरी का धनात्मक ध्रुव $p$-सेमीकंडक्टर से और ऋणात्मक ध्रुव $n$-सेमीकंडक्टर से जुड़ा हो
  • B
    बैटरी का धनात्मक ध्रुव $n$-सेमीकंडक्टर से और ऋणात्मक ध्रुव $p$-सेमीकंडक्टर से जुड़ा हो
  • C
    बैटरी का धनात्मक ध्रुव $n$-सेमीकंडक्टर और $p$-सेमीकंडक्टर दोनों से जुड़ा हो
  • D
    यांत्रिक बल को फॉरवर्ड दिशा में लगाया जाता है।

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एक $p-n$ जंक्शन डायोड का इन-बिल्ट विभव (built-in potential) $0.7 \,V$ है। यदि डायोड को फॉरवर्ड बायस में रखा जाता है और आरोपित वोल्टेज $0.3 \,V$ है, तो प्रभावी अवरोध ऊँचाई (effective barrier height) क्या होगी ($\,V$ में)?

निम्नलिखित आरेखों में दिखाए गए डायोड में से कौन सा रिवर्स बायस्ड है?

अवक्षय अवरोध (Depletion barrier) क्या है?

क्रिस्टल डायोड एक:

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