કાર્બન,સિલિકોન અને જર્મેનિયમમાં દરેકના વેલેન્સ ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા $4$ છે. ઓરડાના તાપમાને નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

• A
  $Si$ અને $Ge$ માં વહન માટે મુક્ત ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા નોંધપાત્ર હોય છે,જ્યારે $C$ માં તે ખૂબ ઓછી હોય છે.
• B
  $C$ માં મુક્ત ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા નોંધપાત્ર હોય છે,જ્યારે $Si$ અને $Ge$ માં તે ખૂબ ઓછી હોય છે.
• C
  ત્રણેય પદાર્થોમાં મુક્ત ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા ખૂબ ઓછી હોય છે.
• D
  ત્રણેય પદાર્થોમાં વહન માટે મુક્ત ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા પૂરતી હોય છે.