આકૃતિમાં એક $Si$ ડાયોડ અને એક $Ge$ ડાયોડ શ્રેણીમાં જોડેલા છે. બંને ડાયોડને ફૉરવર્ડ બાયસમાં લાવવા માટે બિંદુ $A$ પર કેટલું વિદ્યુતસ્થિતિમાન હોવું જોઈએ?

  • A
    $0 \ V$
  • B
    $-2 \ V$
  • C
    $+0.7 \ V$
  • D
    $+0.3 \ V$

Explore More

Similar Questions

એક સેમિકન્ડક્ટર $(Ge - As)$ નો એનર્જી ગેપ $1.43\, eV$ છે. જ્યારે આવા સેમિકન્ડક્ટરમાં હોલ અને ઈલેક્ટ્રોનનું પુનઃસંયોજન થાય ત્યારે ઉત્સર્જિત થતી મહત્તમ તરંગલંબાઈ $\mathring{A}$ માં કેટલી હશે?

Difficult
View Solution

એક જંકશન ડાયોડનો ફોરવર્ડ બાયસમાં અવરોધ $25 \Omega$ અને રિવર્સ બાયસમાં $2500 \Omega$ છે. દર્શાવેલ પરિપથ માટે ડાયોડમાં વહેતો પ્રવાહ કેટલો હશે?

ધારો કે,એક $P-N$ જંકશનમાં ડેપ્લેશન સ્તરની જાડાઈ $10^{-6} \ m$ છે અને ડેપ્લેશન બેરિયરનું મૂલ્ય $0.1 \ V$ છે,તો વિદ્યુતક્ષેત્ર ....... $V \ m^{-1}$ છે.

નીચે દર્શાવેલ સર્કિટમાં પ્રવાહ $I$ કેટલો હશે? (બધા ડાયોડ આદર્શ અને સમાન છે)

આપેલ પરિપથમાં,જો ડાયોડ માટે ફોરવર્ડ વોલ્ટેજ ડ્રોપ $0.5\, V$ હોય,તો પ્રવાહ.........$mA$ થશે.

Difficult
View Solution

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo