આપેલ પરિપથોમાં કયો ડાયોડ ફૉરવર્ડ બાયસમાં છે?

$p-n$ જંકશન ડાયોડમાં પોટેન્શિયલ બેરિયર શેના કારણે હોય છે?

ધારો કે ફોરવર્ડ બાયસ સ્થિતિમાં સિલિકોન ડાયોડ પર $0.7 \text{ V}$ નો વોલ્ટેજ ડ્રોપ થાય છે, તો પરિપથમાં ડાયોડ $D_1$ માંથી વહેતો પ્રવાહ . . . . . . $\text{mA}$ છે. (ધારો કે આપેલ પરિપથમાં બધા ડાયોડ સમાન છે)

નીચેના પરિપથમાં જંકશન ડાયોડને તેના $I-V$ લાક્ષણિક વક્રના ની પોઈન્ટ $(0.7 \, V)$ થી ઉપર રહેવા માટે લઘુત્તમ $1 \, mA$ પ્રવાહની જરૂર છે. ની પોઈન્ટથી ઉપર ડાયોડ પરનો વોલ્ટેજ પ્રવાહથી સ્વતંત્ર છે. જો $V_B = 5 \, V$ હોય,તો $R$ નું મહત્તમ મૂલ્ય કેટલું હશે જેથી વોલ્ટેજ ની પોઈન્ટથી ઉપર રહે?

નીચેનામાંથી કયું રિવર્સ-બાયસ્ડ (reverse-biased) છે?

p-n જંકશન પર $0.4 \,V$ નો પોટેન્શિયલ બેરિયર અસ્તિત્વ ધરાવે છે. એક ઇલેક્ટ્રોન $n$-બાજુથી $6.0 \times 10^{5} \,ms^{-1}$ ની ઝડપે જંકશનમાં પ્રવેશે છે. જે ઝડપ સાથે ઇલેક્ટ્રોન $p$-બાજુમાં પ્રવેશશે તે $\frac{x}{3} \times 10^{5} \,ms^{-1}$ છે. $x$ નું મૂલ્ય ............. છે.
(આપેલ છે: ઇલેક્ટ્રોનનું દળ $= 9 \times 10^{-31} \,kg$,ઇલેક્ટ્રોન પરનો વિદ્યુતભાર $= 1.6 \times 10^{-19} \,C$.)