$300 \ K$ तापमान पर शुद्ध $Si$ में इलेक्ट्रॉनों $(n_e)$ और होल्स $(n_h)$ की सांद्रता समान है और यह $1.5 \times 10^{16} \ m^{-3}$ है। यदि इंडियम के साथ डोपिंग के बाद होल्स की सांद्रता $(n_h)$ बढ़कर $3 \times 10^{22} \ m^{-3}$ हो जाती है,तो डोप्ड $Si$ में इलेक्ट्रॉनों की सांद्रता $(n_e)$ की गणना करें।

• A
  $3.5 \times 10^5 \ m^{-3}$
• B
  $7.5 \times 10^9 \ m^{-3}$
• C
  $2.5 \times 10^{-9} \ m^{-3}$
• D
  $5.5 \times 10^{12} \ m^{-3}$