एक P-N जंक्शन डायोड 10 mA की धारा के साथ फॉर | vedclass

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Question

(C) दिया गया है: धारा $I = 10 \ mA = 10 	imes 10^{-3} \ A$,डायोड पर विभव पतन $V_d = 0.5 \ V$,श्रेणी प्रतिरोध $R = 200 \ \Omega$.बैटरी द्वारा प्रदान क

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$2.5$

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(C) दिया गया है: धारा $I = 10 \ mA = 10 	imes 10^{-3} \ A$,डायोड पर विभव पतन $V_d = 0.5 \ V$,श्रेणी प्रतिरोध $R = 200 \ \Omega$.बैटरी द्वारा प्रदान किया गया कुल वोल्टेज $V$,प्रतिरोधक पर विभव पतन और डायोड पर विभव पतन का योग है।$V = V_R + V_d$प्रतिरोधक के लिए ओम के नियम का उपयोग करने पर,$V_R = I 	imes R$.$V_R = (10 	imes 10^{-3} \ A) 	imes (200 \ \Omega) = 2 \ V$.अतः,कुल वोल्टेज $V = 2 \ V + 0.5 \ V = 2.5 \ V$.

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यह मानते हुए कि डायोड सिलिकॉन के हैं और उनका अग्र प्रतिरोध (forward resistance) शून्य है, निम्नलिखित परिपथ में धारा $I$ .......$mA$ है।

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