$500 \ K$ તાપમાને શુદ્ધ અર્ધવાહકમાં ઇલેક્ટ્રોન સંખ્યા-ઘનતા $(n_e)$ અને હોલ સંખ્યા-ઘનતા $(n_h)$ સમાન છે,જે $1.5 \times 10^{16} \ m^{-3}$ છે. હવે,તેમાં ઇન્ડિયમ અશુદ્ધિ ઉમેરતાં હોલ ઘનતા $(n_h)$ વધીને $4.5 \times 10^{22} \ m^{-3}$ થાય છે. આ અશુદ્ધિ ઉમેરેલ અર્ધવાહક ...

  • A
    $P$-પ્રકારનો અર્ધવાહક છે,જેમાં ઇલેક્ટ્રોન સંખ્યા-ઘનતા $n_e = 5 \times 10^9 \ m^{-3}$ હશે.
  • B
    $N$-પ્રકારનો અર્ધવાહક છે,જેમાં ઇલેક્ટ્રોન સંખ્યા-ઘનતા $n_e = 5 \times 10^{22} \ m^{-3}$ હશે.
  • C
    $P$-પ્રકારનો અર્ધવાહક છે,જેમાં ઇલેક્ટ્રોન સંખ્યા-ઘનતા $n_e = 2.5 \times 10^{10} \ m^{-3}$ હશે.
  • D
    $N$-પ્રકારનો અર્ધવાહક છે,જેમાં ઇલેક્ટ્રોન સંખ્યા-ઘનતા $n_e = 2.5 \times 10^{23} \ m^{-3}$ હશે.

Explore More

Similar Questions

ધારો કે એક શુદ્ધ $Si$ સ્ફટિકમાં $5 \times 10^{28}$ પરમાણુઓ $m^{-3}$ છે. તેને $1$ ppm સાંદ્રતા ધરાવતા પેન્ટાવેલેન્ટ $As$ વડે ડોપ કરવામાં આવે છે. હોલ્સની સંખ્યાની ગણતરી કરો. આપેલ છે કે $n_i = 1.5 \times 10^{16} m^{-3}$.

જ્યારે $N-$ પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરને ગરમ કરવામાં આવે છે,ત્યારે ચાર્જ કેરિયર્સ સાથે શું થાય છે?

બાહ્ય (extrinsic) સેમિકન્ડક્ટર માટે,જ્યારે ડોપિંગનું સ્તર વધારવામાં આવે છે ત્યારે:

અર્ધવાહકો સામાન્ય રીતે કેવા હોય છે?

$500\,K$ તાપમાને શુદ્ધ $Si$ માં ઇલેક્ટ્રોન $(n_e)$ અને હોલ $(n_h)$ ની સાંદ્રતા સમાન છે,જે $1.5 \times 10^{16}\,m^{-3}$ છે. ઇન્ડિયમ દ્વારા ડોપિંગ કરવાથી $n_h$ વધીને $4.5 \times 10^{22}\,m^{-3}$ થાય છે. તો આ ડોપ્ડ સેમિકન્ડક્ટર કેવા પ્રકારનું છે?

Difficult
View Solution

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo