$2.5 \ eV$ બૅન્ડગેપ ધરાવતા અર્ધવાહકમાંથી ફોટો-ડાયોડ બનાવેલ છે. શું તે $6000 \ \mathring{A}$ તરંગલંબાઈને પારખી શકશે?

$1.4 \ eV$ ના બેન્ડ ગેપ ધરાવતા સેમિકન્ડક્ટર (અર્ધવાહક) માંથી $p-n$ ફોટોડાયોડ બનાવવામાં આવે છે. તે કઈ તરંગલંબાઇના સિગ્નલને શોધી શકે છે?

એક લાઈટ એમિટિંગ ડાયોડ $(LED)$ માં $2\,V$ નો વોલ્ટેજ ડ્રોપ થાય છે અને જ્યારે તે $6\,V$ ની બેટરી સાથે લિમિટિંગ રઝિસ્ટર $R$ દ્વારા કાર્ય કરે છે ત્યારે તેમાંથી $10\,mA$ નો પ્રવાહ વહે છે. $R$ નું મૂલ્ય $......\,k\Omega$ છે.

નીચેના વિધાનો ધ્યાનમાં લો $:$
$A.$ સોલર સેલનો જંકશન વિસ્તાર ફોટોડાયોડની સરખામણીમાં ખૂબ મોટો રાખવામાં આવે છે.
$B.$ સોલર સેલ કોઈ પણ બાહ્ય બાયસ સાથે જોડાયેલા હોતા નથી.
$C.$ $\text{LED}$ એ હેવીલી ડોપ્ડ (વધારે અશુદ્ધિ ઉમેરેલા) $p-n$ જંકશનથી બનેલી હોય છે.
$D.$ ફોરવર્ડ કરંટમાં વધારો થવાથી $\text{LED}$ ની પ્રકાશ તીવ્રતામાં સતત વધારો થાય છે.
$E.$ પ્રકાશના ઉત્સર્જન માટે $\text{LED}$ ને ફોરવર્ડ બાયસમાં જોડવી આવશ્યક છે.
કયા વિધાનો સાચા છે?

સોલર સેલની રચના, કાર્યપદ્ધતિ અને ઉપયોગનું વર્ણન કરો.

ઇન્ફ્રારેડ $LED$ ના ઉત્પાદનમાં વપરાતી સામગ્રી કઈ છે?