જ્યારે આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઈ $400 \ nm$ થી બદલીને $310 \ nm$ કરવામાં આવે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા બમણી થાય છે. ધાતુનું કાર્ય વિધેય ........ $eV$ છે.

બે અલગ-અલગ આવૃત્તિઓ ધરાવતો પ્રકાશ,જેના ફોટોનની ઊર્જા અનુક્રમે $1 \text{ eV}$ અને $2.5 \text{ eV}$ છે,તે $0.5 \text{ eV}$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુ પર વારાફરતી આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જાનો ગુણોત્તર કેટલો થશે?

$1824 \ \mathring A$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશ ધાતુની સપાટી પર આપાત થતા,$5.3 \ eV$ મહત્તમ ઉર્જા ધરાવતા ફોટો-ઈલેક્ટ્રોન ઉત્પન્ન થાય છે. જ્યારે $1216 \ \mathring A$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશ વાપરવામાં આવે,ત્યારે ફોટો-ઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ઉર્જા $8.7 \ eV$ હોય છે. ધાતુની સપાટીનું કાર્ય વિધેય (work function) .............. $eV$ છે.

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં,ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $K_0$ છે. જો આપાત વિકિરણની આવૃત્તિમાં $n_1$ ના ગુણાંકનો વધારો કરવામાં આવે,તો નવી મહત્તમ ગતિઊર્જા $n_2K_0$ થાય છે. ધાતુનું વર્ક ફંક્શન શોધો.

$5\, eV$ ઊર્જા ધરાવતા ફોટોન એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક સેલમાં કેથોડ $C$ પર આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ઊર્જા $2\, eV$ છે. જ્યારે $6\, eV$ ઊર્જા ધરાવતા ફોટોન $C$ પર આપાત થાય,ત્યારે જો $C$ ની સાપેક્ષમાં $A$ નું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ ............ $V$ હોય,તો કોઈ પણ ફોટોઈલેક્ટ્રોન એનોડ $A$ સુધી પહોંચશે નહીં.

$300 \ nm$ તરંગલંબાઈ અને $1.0 \ W/m^2$ તીવ્રતા ધરાવતો અલ્ટ્રાવાયોલેટ પ્રકાશ એક ફોટોસેન્સિટિવ પદાર્થની સપાટી પર પડે છે. જો આપાત ફોટોનમાંથી $1\%$ ફોટોઇલેક્ટ્રોન ઉત્પન્ન કરે,તો સપાટીના $1.0 \ cm^2$ ક્ષેત્રફળમાંથી ઉત્સર્જિત થતા ફોટોઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા આશરે કેટલી હશે?