ફોટોસેલમાંથી ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા ........ થી સ્વતંત્ર છે.

પ્રકાશસંવેદી પદાર્થ પર આપાત થતા પ્રકાશની આવૃત્તિ બમણી કરવામાં આવે છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા $(K.E.)$ કેટલી થશે?

જ્યારે એક પ્રકાશસંવેદનશીલ પદાર્થને $3.1 \ eV$ ઊર્જા ધરાવતા ફોટોન વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $1.7 \ V$ છે. જ્યારે તે જ પ્રકાશસંવેદનશીલ પદાર્થને $2.5 \ eV$ ઊર્જા ધરાવતા ફોટોન વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ કેટલું હશે ($V$ માં)?

$1.07 \ eV$ વર્કફંકશન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર $332 \ nm$ તરંગલંબાઈવાળું વિકિરણ આપાત કરવામાં આવે છે. ધાતુની સપાટીમાંથી ફોટોઈલેક્ટ્રૉનનું ઉત્સર્જન અટકાવવા માટે જરૂરી સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ ............ $V$ છે. $(h = 6.6 \times 10^{-34} \ Js, c = 3 \times 10^8 \ m/s, 1 \ eV = 1.6 \times 10^{-19} \ J)$

એક ફોટો-એમિસિવ પદાર્થને $\lambda_i$ તરંગલંબાઈના વિકિરણ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે જેથી તે $\lambda_e$ ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ ધરાવતા ઇલેક્ટ્રોન મુક્ત કરે છે. ફોટોઇલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત કરી શકે તેવી વિકિરણની સૌથી લાંબી તરંગલંબાઈ $\lambda_0$ છે. ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ $\lambda_e$ માટેનું સૂત્ર શું છે? ($m = \text{ઇલેક્ટ્રોનનું દળ}$, $h = \text{પ્લાન્કનો અચળાંક}$, $c = \text{પ્રકાશની ઝડપ}$):

ટંગસ્ટન અને સોડિયમનું કાર્ય વિધેય અનુક્રમે $5.06 \ eV$ અને $2.53 \ eV$ છે. જો સોડિયમ માટે થ્રેસોલ્ડ તરંગલંબાઈ $5896 \ \mathring{A}$ હોય,તો ટંગસ્ટન માટે થ્રેસોલ્ડ તરંગલંબાઈ .......... $\mathring{A}$ હશે.