ધાતુની સપાટી $400 \ nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. બહાર આવતા ફોટો-ઈલેક્ટ્રોનની ગતિ ઊર્જા $1.68 \ eV$ માલૂમ પડે છે. તો ધાતુનું વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) ......... $eV$ છે. $(hc = 1240 \ eV \cdot nm)$

એલ્યુમિનિયમની સપાટી પરથી ઇલેક્ટ્રોનને દૂર કરવા માટે જરૂરી ઉર્જા $4.2 \text{ eV}$ છે. જો $2000 \text{ Å}$ તરંગલંબાઇનો પ્રકાશ સપાટી પર આપાત થાય,તો સપાટી પરથી ઉત્સર્જિત થતા સૌથી ઝડપી ઇલેક્ટ્રોનનો વેગ કેટલો હશે?

આપાત વિકિરણની વિવિધ આવૃત્તિઓ $v_{1}, v_{2}$ અને $v_{3}$ માટે કલેક્ટર પોટેન્શિયલ સાથે ફોટો-કરંટમાં થતો ફેરફાર આલેખમાં દર્શાવ્યા મુજબ છે. તો:

સીઝિયમ ધાતુનું વર્ક ફંક્શન $2.14 \; eV$ છે. જ્યારે $6 \times 10^{14} \; Hz$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઇલેક્ટ્રોનનું ફોટો-ઉત્સર્જન થાય છે. તો
$(a)$ ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા,
$(b)$ સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ,અને
$(c)$ ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ઝડપ કેટલી હશે?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર માટે નીચેનામાંથી કયા વિધાનો સાચા છે?
$I$ ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા પ્રકાશની આવૃત્તિ પર આધાર રાખતી નથી.
$II$ અત્યંત તીવ્ર પ્રકાશ માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર હંમેશા જોવા મળે છે.
$III$ ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા પ્રકાશની તીવ્રતા પર આધાર રાખતી નથી.
$IV$ વધુ આવૃત્તિ માટે બહાર નીકળતા ઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા વધારે હોય છે.

એક ધાતુની સપાટી પરથી આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિઓ ${\nu _1}$ અને ${\nu _2}$ $({\nu _1} > {\nu _2})$ માટે ફોટોઇલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન જોવા મળે છે. જો બંને કિસ્સામાં ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જાનો ગુણોત્તર $1:k$ હોય,તો ધાતુની સપાટીની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ કેટલી હશે?