નાની ધાતુની પ્લેટ પર બિંદુવત સ્ત્રોત દ્વારા ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર ઉદ્દભવે છે. નીચેનામાંથી કયો વક્ર સ્ત્રોત અને ધાતુ વચ્ચેના અંતરના વિધેય તરીકે સંતૃપ્ત ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રવાહ દર્શાવે છે?

નીચેના બે વિધાનો $A$ અને $B$ ધ્યાનમાં લો અને આપેલા જવાબોમાંથી સાચો વિકલ્પ પસંદ કરો:
$(A)$ ફોટોવોલ્ટેઇક કોષોમાં ઉત્પન્ન થતો ફોટોઇલેક્ટ્રિક પ્રવાહ આપાત પ્રકાશની તીવ્રતાના પ્રમાણમાં હોતો નથી.
$(B)$ વાયુથી ભરેલા ફોટોએમિસિવ કોષોમાં, ફોટોઇલેક્ટ્રોનનો વેગ આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઇ પર આધાર રાખે છે.

નીચેનો આલેખ ધાતુની સપાટી માટે એનોડ પોટેન્શિયલ સાથે ફોટોકરંટના ફેરફારને દર્શાવે છે. અહીં $I_{1}, I_{2}$ અને $I_{3}$ એ તીવ્રતા દર્શાવે છે અને $\gamma_{1}, \gamma_{2}, \gamma_{3}$ એ અનુક્રમે વક્ર $1, 2$ અને $3$ માટે આવૃત્તિઓ દર્શાવે છે,તો

$400\,nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો એકવર્ણી પ્રકાશનો કિરણપુંજ એક પ્રકાશસંવેદી સપાટી પર લંબરૂપે આપાત થાય છે ($25\%$ પરાવર્તન પામે છે અને બાકીનો ભાગ શોષાય છે). આ સપાટી પર $5 \times 10^{-7}\,N/m^2$ નું દબાણ ઉત્પન્ન કરે છે. જો આપાત ફોટોન્સના $0.1\%$ ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્પન્ન કરતા હોય,તો અનુરૂપ સેચ્યુરેશન પ્રવાહ $\dots \mu A$ હશે. (પ્રકાશસંવેદી સપાટીનું ક્ષેત્રફળ $= 5\,cm^2$ લો)

$60 \ V$ ના સ્થિર વિદ્યુતસ્થિતિમાન તફાવત ધરાવતા સીઝિયમ ફોટોસેલને $50 \ cm$ દૂર રહેલા પ્રકાશના બિંદુવત ઉદ્ગમ દ્વારા પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. જ્યારે તે જ પ્રકાશના ઉદ્ગમને $1 \ m$ દૂર મૂકવામાં આવે,ત્યારે સેલમાંથી ઉત્સર્જિત થતા ફોટોઈલેક્ટ્રોન:

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના સંદર્ભમાં નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?