પ્રકાશના કયા સિદ્ધાંત દ્વારા ફોટો-ઈલેક્ટ્રિક અસર સમજાવી શકાય છે?

ધારો કે $K_{1}$ અને $K_{2}$ એ બે મોનોક્રોમેટિક કિરણો જેની તરંગલંબાઈ અનુક્રમે $\lambda_{1}$ અને $\lambda_{2}$ છે,તેને ધાતુની સપાટી પર આપાત કરતા ઉત્સર્જિત થતા ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા છે. જો $\lambda_{1} = 3 \lambda_{2}$ હોય,તો:

નીચે બે વિધાનો આપેલા છે: એકને વિધાન $A$ તરીકે અને બીજાને કારણ $R$ તરીકે લેબલ કરવામાં આવ્યું છે.
વિધાન $A$ : જો આપાત વિકિરણની ઉર્જા ધાતુના વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) કરતા ઓછી હોય,તો ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર થતી નથી.
કારણ $R$ : જો આપાત વિકિરણની ઉર્જા ધાતુના વર્ક ફંક્શન જેટલી હોય,તો ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિ ઉર્જા શૂન્ય હોય છે.
ઉપરોક્ત વિધાનોના પ્રકાશમાં,નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સૌથી યોગ્ય જવાબ પસંદ કરો.

ધાતુની થ્રેસોલ્ડ તરંગલંબાઈ $400 \ nm$ છે. ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $1.5 \ eV$ છે. તો આપાત થતાં ફોટોનની તરંગલંબાઈ $\mathring{A}$ માં શોધો.

બે સમાન ફોટો-કેથોડ $f_1$ અને $f_2$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ મેળવે છે. જો બહાર આવતા ફોટો-ઇલેક્ટ્રોન (દળ $m$) ના વેગ અનુક્રમે $v_1$ અને $v_2$ હોય,તો:

$4.0 \ eV$ નું વર્ક ફંકશન ધરાવતી ધાતુ માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઇ $nm$ માં કેટલી થાય?