$6 \, eV$ ઊર્જા ધરાવતો ફોટોન ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય ત્યારે ઉત્સર્જાતા ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $4 \, eV$ છે. તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલનું મૂલ્ય .......... $V$ છે.

$0.6 \ eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુ પર $2 \ eV$ ઊર્જાવાળો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ કેટલું હશે ($V$ માં)?

ધાતુની સપાટી પરથી ફોટો-ઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન માટે થ્રેસોલ્ડ તરંગલંબાઈ $5200 \ \mathring A$ છે. નીચેનામાંથી કયો સ્ત્રોત આ સપાટી પરથી ફોટો-ઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન પ્રેરી શકશે?

ફોટોઇલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં, અન્ય પરિબળોને અચળ રાખીને આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ વધારવામાં આવે છે $(f > f_0)$. તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ

$4.0 \ eV$ નું વર્ક ફંકશન ધરાવતી ધાતુ માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઇ $nm$ માં કેટલી થાય?

એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક સપાટીને ક્રમશઃ $\lambda$ અને $\frac{\lambda}{2}$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા એકવર્ણી પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. જો પ્રથમ કિસ્સામાં ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા બીજા કિસ્સાની ગતિઊર્જા કરતા ચોથા ભાગની હોય,તો પદાર્થની સપાટીનું કાર્ય વિધેય (work function) શોધો ($c=$ પ્રકાશની ઝડપ,$h=$ પ્લાન્કનો અચળાંક).