$2 \ eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર $3.4 \ eV$ ઊર્જા ધરાવતો ફોટોન આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ-ઊર્જા .......... $eV$ છે.

ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેવી રીતે બદલાય છે?

જો ધાતુનું કાર્ય વિધેય (work function) $3 \ eV$ હોય,તો થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઇ ............ $\mathring{A}$ હશે.

એક ચોક્કસ ધાતુની સપાટી માટે ફોટોઇલેક્ટ્રિક થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઇ $3600 \mathring A$ છે. જો ધાતુની સપાટી પર $1100 \mathring A$ ની તરંગલંબાઇ આપાત કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા કેટલી હશે ($\text{ eV}$ માં)?

એક ધાતુનું કાર્ય વિધેય (work function) $4.2 \ eV$ છે. તેની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ .......... $ \mathring A $ હશે.

પ્રકાશના તરંગ સાથે સંકળાયેલ વિદ્યુત ક્ષેત્ર $E = E_0 \sin [1.57 \times 10^7 (x - ct)]$ દ્વારા આપવામાં આવે છે,જ્યાં $x$ મીટરમાં અને $t$ સેકન્ડમાં છે. જો આ પ્રકાશનો ઉપયોગ $1.9 \ eV$ કાર્ય વિધેય ધરાવતી ધાતુની સપાટી પરથી ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન ઉત્પન્ન કરવા માટે કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ કેટલા $V$ હશે?