વિધાન $1$ : ડેવિસન-ગર્મરના પ્રયોગે ઈલેક્ટ્રોનનો તરંગ સ્વભાવ પ્રસ્થાપિત કર્યો. વિધાન $2$ : જો ઈલેક્ટ્રોન તરંગ સ્વભાવ ધરાવતા હોય,તો તેઓ વ્યતિકરણ અને વિવર્તન પામી શકે છે.

ડેવિસન-ગર્મરના પ્રયોગમાં,$60 \ eV$ ઊર્જા ધરાવતું ઈલેક્ટ્રોન પુંજ સ્ફટિકની સપાટી પર લંબ રૂપે આપાત થાય છે. જો આપાત પુંજની દિશા સાથે $50^\circ$ ના ખૂણે મહત્તમ તીવ્રતા જોવા મળે,તો સ્ફટિક લેટાઈસમાં આંતર-પરમાણ્વિય અંતર $\mathring A$ માં કેટલું હશે?

ઈલેક્ટ્રોન તરંગની જેમ વર્તે છે,કારણ કે તે......

હાઇઝનબર્ગનો અનિશ્ચિતતાનો સિદ્ધાંત સમજાવો.

નીચે બે વિધાનો આપેલા છે: એકને વિધાન $A$ તરીકે અને બીજાને કારણ $R$ તરીકે લેબલ કરવામાં આવ્યું છે.
વિધાન $A:$ ઇલેક્ટ્રોનનો બીમ તરંગ પ્રકૃતિ દર્શાવે છે અને વ્યતિકરણ (interference) અને વિવર્તન (diffraction) પ્રદર્શિત કરે છે.
કારણ $R:$ ડેવિસન-ગર્મર પ્રયોગે ઇલેક્ટ્રોનની તરંગ પ્રકૃતિને પ્રાયોગિક રીતે ચકાસી હતી.
ઉપરોક્ત વિધાનોના પ્રકાશમાં,નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સૌથી યોગ્ય જવાબ પસંદ કરો:

ઈલેક્ટ્રોનનો તરંગ ગુણધર્મ સૂચવે છે કે તેઓ વિવર્તન અસર ઉત્પન્ન કરશે. ડેવિસન અને ગર્મરે સ્ફટિક પરથી ઈલેક્ટ્રોનનું વિવર્તન કરીને પ્રાયોગિક રીતે આ સાબિત કર્યું. સ્ફટિક પરથી વિવર્તનનો નિયમ,સ્ફટિકના પરમાણુઓના સમતલ પરથી પરાવર્તન પામતા ઈલેક્ટ્રોન તરંગોના રચનાત્મક વ્યતિકરણ પરથી મેળવવામાં આવે છે. $V$ વિદ્યુત સ્થિતિમાન વડે પ્રવેગિત ઈલેક્ટ્રોન સ્ફટિક પરથી વિવર્તન પામે છે. જો $d = 1 \ \mathring{A}$ અને $i = 30^\circ$ હોય,તો $V$ નું મૂલ્ય ........... $V$ હોવું જોઈએ. $(h = 6.6 \times 10^{-34} \ J \cdot s, m_e = 9.1 \times 10^{-31} \ kg, e = 1.6 \times 10^{-19} \ C)$