બે ધાતુઓના વર્ક ફંક્શનનો ગુણોત્તર $1:2$ છે. જો તેમના પર અનુક્રમે $f$ અને $2f$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જાનો ગુણોત્તર કેટલો થશે?

જ્યારે $300 \ nm$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જક પર પડે છે,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. બીજા એક ઉત્સર્જક માટે,$600 \ nm$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ ફોટોઈલેક્ટ્રોનને મુક્ત કરવા માટે પૂરતો છે. બે ઉત્સર્જકોના વર્ક ફંક્શનનો ગુણોત્તર કેટલો છે?

$4.25\, eV$ ઉર્જા ધરાવતો ફોટોન જ્યારે ધાતુ $A$ ની સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $T_A\, eV$ અને ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ ${\lambda _A}$ છે. $4.70\, eV$ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોન દ્વારા બીજી ધાતુ $B$ માંથી મુક્ત થતા ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા ${T_B} = ({T_A} - 1.50)\, eV$ છે. જો આ ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ ${\lambda _B} = 2{\lambda _A}$ હોય,તો:

જ્યારે પ્રકાશ ધાતુની સપાટી પર પડે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ ઊર્જા શેના પર આધાર રાખે છે?

બે સમાન ફોટો-કેથોડ $f_1$ અને $f_2$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ મેળવે છે. જો બહાર આવતા ફોટો-ઇલેક્ટ્રોન (દળ $m$) ના વેગ અનુક્રમે $v_1$ અને $v_2$ હોય,તો:

જ્યારે $\phi$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ફોટોસેન્સિટિવ ધાતુ પર $\nu$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત સૌથી વધુ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ $\lambda$ છે. તો $\nu =$ (જ્યાં $h$ એ પ્લાન્કનો અચળાંક છે અને $m$ એ ઇલેક્ટ્રોનનું દળ છે).