અર્ધવાહકમાં મુક્ત ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા ઘનતા (n | vedclass

Name: Exam Paper Generator | JEE NEET Paper Generator | Vedclass
Brand: Vedclass
Rating: 5 (35 reviews)

Question

(D) અર્ધવાહકમાં,આંતરિક વાહક સાંદ્રતા $n_i$ નીચેના સંબંધ દ્વારા આપવામાં આવે છે:$n_i = A T^{3/2} \exp\left(-\frac{E_g}{2kT}\right)$જ્યાં $A$ એ અચળાંક છે

Vedclass · Accepted Answer

$n \propto T^{3/2}$

Vedclass · Answer

(D) અર્ધવાહકમાં,આંતરિક વાહક સાંદ્રતા $n_i$ નીચેના સંબંધ દ્વારા આપવામાં આવે છે:$n_i = A T^{3/2} \exp\left(-\frac{E_g}{2kT}\right)$જ્યાં $A$ એ અચળાંક છે,$E_g$ એ બેન્ડ ગેપ ઉર્જા છે,અને $k$ એ બોલ્ટ્ઝમેન અચળાંક છે.આપેલ અર્ધવાહક માટે,તાપમાન પરની નિર્ભરતા મુખ્યત્વે તેના પૂર્વ-ઘાતાંકીય પદમાં રહેલા $T^{3/2}$ અવયવ પર આધાર રાખે છે.તેથી,મુક્ત ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા ઘનતા $n$ એ $T^{3/2}$ ના સમપ્રમાણમાં હોય છે.

અર્ધવાહકમાં મુક્ત ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા ઘનતા $(n)$ અને તાપમાન $(T)$ વચ્ચેનો સંબંધ શું છે?

Similar Questions

ઘન પદાર્થોમાં બેન્ડ સ્ટ્રક્ચર (બંધારણ) ની સમજૂતી ...... ને કારણે છે.

પરમ શૂન્ય તાપમાને,$Si$ એ ........... તરીકે વર્તે છે.

$\sigma_1$ અને $\sigma_2$ એ અનુક્રમે $Ge$ અને $Na$ ની વિદ્યુત વાહકતા છે. જો આ પદાર્થોને ગરમ કરવામાં આવે,તો

અર્ધવાહકના કિસ્સામાં,નીચેનામાંથી કયું વિધાન ખોટું છે?

Vedclass Test Series

Exam Paper Generator

Online Exam Module