$3.1 \,eV$ ના બેન્ડ ગેપ ધરાવતા સેમિકન્ડક્ટરથી $p-n$ ફોટોડાયોડ બનાવવામાં આવે છે. નીચેનામાંથી કઈ તરંગલંબાઈ તેના દ્વારા શોધી શકાય છે?

  • A
    $4000 \,\mathring{A}$
  • B
    $3900 \,\mathring{A}$
  • C
    $4200 \,\mathring{A}$
  • D
    $(a)$ અને $(b)$ બંને

Explore More

Similar Questions

એક $LED$ ને $pn$ જંકશનમાંથી બનાવવામાં આવે છે જે એક ચોક્કસ અર્ધવાહક પદાર્થ પર આધારિત છે,જેની એનર્જી ગેપ $1.9 \ eV$ છે. તો ઉત્સર્જિત પ્રકાશની તરંગલંબાઇ કેટલી હશે?

જ્યારે મલ્ટિમીટર (રેઝિસ્ટન્સ માપવાના મોડમાં) ના પ્રોબ્સને કોઈ ઘટક સાથે જોડવામાં આવે અને તેને ઉલટાવવામાં આવે, ત્યારે નીચેનામાંથી શું જોવા મળશે $\text{નહીં}$?

વિધાન: $P-N$ જંકશન ડાયોડનો ઉપયોગ પ્રકાશની તીવ્રતા માપવા માટે રિવર્સ બાયસમાં કરવામાં આવે છે.
કારણ: રિવર્સ બાયસ સ્થિતિમાં,પ્રવાહ ઓછો હોય છે પરંતુ તે આપાત પ્રકાશની તીવ્રતામાં થતા ફેરફારો પ્રત્યે વધુ સંવેદનશીલ હોય છે.

$1.4 \ eV$ ના બેન્ડ ગેપ ધરાવતા સેમિકન્ડક્ટર (અર્ધવાહક) માંથી $p-n$ ફોટોડાયોડ બનાવવામાં આવે છે. તે કઈ તરંગલંબાઇના સિગ્નલને શોધી શકે છે?

પ્રકાશના ઉત્સર્જન માટે,લાઇટ એમિટિંગ ડાયોડ $(LED)$ નો ઉપયોગ કેવી રીતે થાય છે?

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo