એક $4\,\mu F$ ના કેપેસિટરને બીજા $8\,\mu F$ ના કેપેસિટર સાથે સમાંતર જોડવામાં આવે છે. ત્યારબાદ આ બંને કેપેસિટરના જોડાણને $12\,\mu F$ ના કેપેસિટર સાથે શ્રેણીમાં જોડીને $20\;V$ ના વોલ્ટેજ આપવામાં આવે છે. $4\,\mu F$ ના કેપેસિટરની પ્લેટ પરનો વિદ્યુતભાર......$\mu C$ છે.

$K_1$ અને $K_2$ $(K_1 < K_2)$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી બે પાતળી ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબને સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ મૂકવામાં આવે છે. પ્લેટ $P$ થી માપવામાં આવતા અંતર $d$ સાથે પ્લેટો વચ્ચેના વિદ્યુતક્ષેત્ર $E$ માં થતો ફેરફાર નીચેનામાંથી કયા આલેખ દ્વારા યોગ્ય રીતે દર્શાવવામાં આવ્યો છે?

ત્રણ કેપેસિટર $C_1, C_2$ અને $C_3$ ને આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ $V$ વોલ્ટની બેટરી સાથે જોડવામાં આવ્યા છે. જો કેપેસિટર $C_3$ વિદ્યુતની દ્રષ્ટિએ બ્રેકડાઉન થાય,તો કેપેસિટરોના સંયોજન પરના કુલ વિદ્યુતભારમાં થતો ફેરફાર કેટલો હશે?

$R$ અને $3R$ ત્રિજ્યા ધરાવતા બે પાતળા વાહક કવચ આકૃતિમાં દર્શાવેલ છે. બહારના કવચ પર $+Q$ વિદ્યુતભાર છે અને અંદરનું કવચ તટસ્થ છે. અંદરના કવચને સ્વીચ $S$ ની મદદથી અર્થિંગ કરવામાં આવે છે.

જો દર્શાવેલ ટેટ્રાહેડ્રોન (ચતુષ્ફલક) માં દરેક કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $C$ હોય, તો કોઈપણ બે જંકશન વચ્ચે નેટવર્કનું અસરકારક કેપેસિટન્સ ......$C$ છે.

આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ ચાર કેપેસિટર તેમની કેપેસીટન્સ અને બ્રેકડાઉન વોલ્ટેજ સાથે દર્શાવેલ છે. બાહ્ય emf સ્ત્રોતનું મહત્તમ મૂલ્ય કેટલું હોવું જોઈએ જેથી કોઈ પણ કેપેસિટર બ્રેકડાઉન ન થાય? ($kV$ માં)