એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને ચોક્કસ પોટેન્શિયલ સુધી ચાર્જ કરવામાં આવે છે અને ત્યારબાદ ચાર્જિંગ બેટરીને દૂર કરવામાં આવે છે. હવે,જો કેપેસિટરની પ્લેટોને એકબીજાથી દૂર કરવામાં આવે,તો:

$4\,cm$ પહોળાઈ,$8\,cm$ લંબાઈ અને $4\,mm$ પ્લેટો વચ્ચેના અંતર ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને $20\,V$ ની બેટરી સાથે જોડવામાં આવે છે. $5$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી,$1\,cm$ લંબાઈ,$4\,cm$ પહોળાઈ અને $4\,mm$ જાડાઈ ધરાવતી ડાયલેક્ટ્રિક સ્લેબને સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે દાખલ કરવામાં આવે છે. આ તંત્રની સ્થિત-વિદ્યુત ઉર્જા ......... $\epsilon_{0}\,J$ હશે. (જ્યાં $\epsilon_{0}$ એ શૂન્યાવકાશની પરમિટિવિટી છે)

બે સમાન સમાંતર પ્લેટ એર કેપેસિટરને $V$ emf ધરાવતી બેટરી સાથે શ્રેણીમાં જોડવામાં આવ્યા છે. જો એક કેપેસિટરને $K$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા પ્રવાહીમાં મૂકવામાં આવે,તો બીજા કેપેસિટરનો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત કેટલો થશે?

$d$ પ્લેટ અંતર ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ એર કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $9 \text{ pF}$ છે. પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યાને હવે બે ડાયલેક્ટ્રિક્સ વડે ભરવામાં આવે છે, પ્રથમનું $K_1=3$ અને જાડાઈ $d_1=d/3$ છે, જ્યારે બીજાનું $K_2=6$ અને જાડાઈ $d_2=2d/3$ છે. નવા કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ કેટલું હશે ($\text{ pF}$ માં)?

$10\,\mu F$ ના સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને ધ્યાનમાં લો,જેમાં પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યામાં હવા ભરેલી છે. હવે,આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યાનો અડધો ભાગ $K = 4$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા ડાયલેક્ટ્રિક પદાર્થથી ભરવામાં આવે છે. તો કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ બદલાઈને .......$\mu F$ થાય છે.

એક સમાંતર પ્લેટ ચાર્જ્ડ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ દાખલ કરવામાં આવે છે. નીચેનામાંથી કઈ રાશિ બદલાશે નહીં?