એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને પહેલા ચાર્જ કરવામાં આવે છે અને પછી પ્લેટોની વચ્ચે ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ દાખલ કરવામાં આવે છે. કઈ રાશિ બદલાતી નથી?

$C$ અને $2C$ કેપેસિટરને સમાંતર જોડીને બેટરી દ્વારા $V$ વોલ્ટ સુધી ચાર્જ કરવામાં આવે છે. બેટરી દૂર કરવામાં આવે છે. $C$ કેપેસિટરને $K$ ડાયઇલેક્ટ્રિકથી ભરી દેવામાં આવે છે. કેપેસિટર વચ્ચે નવો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત કેટલો થાય?

હવામાં માધ્યમ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $3 \mu F$ છે. પ્લેટોની વચ્ચે ડાયલેક્ટ્રિક માધ્યમ દાખલ કરવાથી,કેપેસિટન્સ $15 \mu F$ થાય છે. $SI$ એકમમાં માધ્યમની પરમિટિવિટી કેટલી હશે? [આપેલ છે: $\epsilon_{0} = 8.85 \times 10^{-12} \text{ SI units}$]

જ્યારે સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેની અડધી જગ્યાને $\varepsilon_r$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા પદાર્થ વડે ભરવામાં આવે ત્યારે તેની કેપેસિટન્સ કેટલી હશે? ધારો કે હવામાં કેપેસિટરની કેપેસિટન્સ $C$ છે.

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની કેપેસીટન્સ $80 \times 10^{-6} \ F$ છે જ્યારે પ્લેટો વચ્ચે હવા હોય. પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યાને $K = 20$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબથી સંપૂર્ણપણે ભરવામાં આવે છે. કેપેસિટરને $30 \ V$ ની બેટરી સાથે જોડવામાં આવે છે. ત્યારબાદ ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબને દૂર કરવામાં આવે છે જ્યારે કેપેસિટર બેટરી સાથે જોડાયેલું રહે છે. વાયરમાંથી પસાર થતો વિદ્યુતભાર શોધો.

$A$ ક્ષેત્રફળ,$d$ પ્લેટ અંતર અને $C$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરમાં આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ $k_1, k_2$ અને $k_3$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા ત્રણ અલગ-અલગ ડાયઇલેક્ટ્રિક પદાર્થો ભરવામાં આવ્યા છે. જો આ કેપેસિટરમાં સમાન કેપેસિટન્સ $C$ મેળવવા માટે એક જ ડાયઇલેક્ટ્રિક પદાર્થનો ઉપયોગ કરવાનો હોય,તો તેનો ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક $k$ કેટલો હશે?