$M$ द्रव्यमान के एक ब्लॉक को एक रस्सी का उपयोग करके $\frac{g}{2}$ के निरंतर नीचे की ओर त्वरण के साथ $x$ दूरी तक लंबवत नीचे उतारा जाता है। रस्सी द्वारा ब्लॉक पर किया गया कार्य है:

निम्नलिखित में से कौन सा तत्व,जब सिलिकॉन में अशुद्धि के रूप में उपस्थित होता है,तो इसे $p$-प्रकार का अर्धचालक बनाता है?

$C_2H_{2(g)}$,$C_{(graphite)}$ और $H_{2(g)}$ की दहन एन्थैल्पी क्रमशः $-1300$,$-394$ और $-286 \ kJ \ mol^{-1}$ है। $C_2H_{2(g)}$ की मानक विरचन एन्थैल्पी ....... $kJ \ mol^{-1}$ है।

यदि $I_n = \int_0^{\pi / 4} \tan^n x \, dx$ है, तो $I_2+I_4, I_3+I_5, I_4+I_6, \ldots$ किसमें हैं?

यदि $f(x) = \int \frac{5x^8 + 7x^6}{(x^2 + 1 + 2x^7)^2} dx, (x \ge 0)$ और $f(0) = 0$ है,तो $f(1)$ का मान ज्ञात कीजिए।

$KI$ के जलीय विलयन का प्लैटिनम इलेक्ट्रोड की उपस्थिति में विद्युत अपघटन करने पर,निम्नलिखित में से कौन से कथन सही हैं?
$(a)$ कैथोड पर हाइड्रोजन गैस मुक्त होती है
$(b)$ एनोड पर ऑक्सीजन गैस मुक्त होती है
$(c)$ विलयन का $pOH$ घटता है
$(d)$ कैथोड पर पोटेशियम जमा होता है