બે સમાંતર વિદ્યુતભારીત પ્લેટો વચ્ચે $10\,N/C$ નું સમાન વિદ્યુતક્ષેત્ર ઉત્પન્ન થાય છે (આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ). એક ઇલેક્ટ્રોન $0.5\,eV$ ની ગતિઊર્જા સાથે પ્લેટોની વચ્ચે સપ્રમાણ રીતે દાખલ થાય છે. દરેક પ્લેટની લંબાઈ $10\,cm$ છે. જ્યારે ઇલેક્ટ્રોન ક્ષેત્રમાંથી બહાર આવે ત્યારે તેના પથના વિચલનનો ખૂણો $(\theta)$ $.........$ (ડિગ્રીમાં) છે.

એક સમાન વિદ્યુતક્ષેત્રમાં,જો કોઈ વિદ્યુતભારને વિદ્યુતક્ષેત્રની રેખાથી અલગ દિશામાં ફેંકવામાં આવે,તો તે વિદ્યુતભારનો ગતિપથ કેવો હશે?

$3 \text{ C}$ નો વિદ્યુતભાર બિંદુ $(0, -2, -5)$ થી બિંદુ $(5, 1, 2)$ સુધી $\vec{E} = 2\hat{i} + 3\hat{j} + 4\hat{k} \text{ N/C}$ ના વિદ્યુતક્ષેત્રમાં ગતિ કરે છે. વિદ્યુતભારને ગતિ કરાવવા માટે થયેલું કાર્ય . . . . . . $J$ છે.

વ્યવહારુ રસની એક સમસ્યા ઇલેક્ટ્રોનના બીમને $90^{\circ}$ ખૂણે વાળવાની છે. આ આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ સમાંતર પ્લેટો વચ્ચે હાજર વિદ્યુતક્ષેત્ર દ્વારા કરી શકાય છે. $8.0 \times 10^{-17} \ J$ ગતિઊર્જા ધરાવતો ઇલેક્ટ્રોન નીચેની પ્લેટમાં રહેલા નાના છિદ્રમાંથી પ્રવેશ કરે છે. જો ઇલેક્ટ્રોન પ્રવેશ છિદ્રથી $1.0 \ cm$ દૂર આવેલા બહાર નીકળવાના છિદ્રમાંથી તેની મૂળ દિશા સાથે કાટખૂણે મુસાફરી કરીને બહાર નીકળે,તો જરૂરી વિદ્યુતક્ષેત્રની તીવ્રતા $y \times 10^5 \ N/C$ છે. $y$ નું મૂલ્ય શોધો.

એક ઇલેક્ટ્રોનને $200 \ V$ ના વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવત દ્વારા પ્રવેગિત કરવામાં આવે છે. જો ઇલેક્ટ્રોન માટે $e/m$ નું મૂલ્ય $1.6 \times 10^{11} \ C/kg$ હોય,તો ઇલેક્ટ્રોન દ્વારા પ્રાપ્ત વેગ કેટલો હશે?

$m$ દળ અને $q$ વીજભાર ધરાવતો એક કણ સ્થિર છે. તેના પર સમાન વિદ્યુતક્ષેત્ર $E$ લગાડતા તે ગતિ કરવાનું શરૂ કરે છે. જ્યારે આ કણ બળની દિશામાં $x$ જેટલું અંતર કાપે,ત્યારે તેની ગતિઊર્જા . . . . . . હશે.