વિધાન અને કારણને સમજ્યા પછી, સાચો વિકલ્પ પસંદ કરો.
વિધાન : $H_2$ ના બંધનકારક આણ્વીય કક્ષક $(MO)$ માં, કેન્દ્રોની વચ્ચે ઇલેક્ટ્રોન ઘનતા વધે છે.
કારણ : બંધનકારક $MO$ એ $\psi_A + \psi_B$ છે, જે સંયોજાતા ઇલેક્ટ્રોન તરંગોનું વિનાશક વ્યતિકરણ દર્શાવે છે.

  • A
    વિધાન ખોટું છે, કારણ સાચું છે.
  • B
    વિધાન સાચું છે, કારણ ખોટું છે.
  • C
    વિધાન અને કારણ બંને સાચા છે અને કારણ એ વિધાનની સાચી સમજૂતી છે.
  • D
    વિધાન અને કારણ બંને સાચા છે, પરંતુ કારણ એ વિધાનની સાચી સમજૂતી નથી.

Explore More

Similar Questions

$He_{2}$, $He_{2}^{+}$ અને $He_{2}^{2+}$ નો બંધ ક્રમાંક (bond order) અનુક્રમે કેટલો છે?

જ્યારે $O_{2}$ નું $O_{2}^{+}$ માં રૂપાંતર થાય છે,ત્યારે તેના પેરામેગ્નેટિક ગુણધર્મ અને બંધ ક્રમાંક (bond order) પર શું અસર થાય છે?

નીચેનામાંથી કઈ સ્પીસીઝનો બંધ ક્રમાંક (bond order) $1.5$ છે?

નીચેનામાંથી કઈ જોડીમાં બે અણુઓ સમાન બંધ ક્રમાંક (bond order) ધરાવે છે?

$F_2$ અણુ માટે આણ્વીય કક્ષકોની ઊર્જાનો સાચો વધતો ક્રમ ઓળખો.

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo