એક $LED$ (Light Emitting Diode) એ $Ga-As-P$ સેમિકન્ડક્ટર મટિરિયલના $p-n$ જંકશનથી બનેલું છે,જેનો એનર્જી ગેપ $1.9\, eV$ છે. ઉત્સર્જિત પ્રકાશની તરંગલંબાઇ કેટલી હશે?

  • A
    $650\, nm$
  • B
    $65\, \mathring{A}$
  • C
    $800\, nm$
  • D
    $8000\, \mathring{A}$

Explore More

Similar Questions

$LED$ ના કિસ્સામાં નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું નથી?

$2.5 \, eV$ ના બેન્ડ ગેપ ધરાવતા સેમિકન્ડક્ટરથી $p-n$ ફોટોડાયોડ બનાવવામાં આવે છે. તે કેટલી તરંગલંબાઇનો સિગ્નલ શોધી શકે છે?

$LED$ માટે વિદ્યુતચુંબકીય વર્ણપટના દ્રશ્યમાન વિભાગમાં પ્રકાશ ઉત્સર્જિત કરવા માટે,તેનો એનર્જી બેન્ડ ગેપ કઈ રેન્જમાં હોવો જોઈએ? (પ્લાન્કનો અચળાંક,$h = 6.6 \times 10^{-34} \ J s$ અને શૂન્યાવકાશમાં પ્રકાશની ઝડપ,$c = 3 \times 10^8 \ m s^{-1}$)

એક લાઈટ એમિટિંગ ડાયોડ $(LED)$ માં $2\,V$ નો વોલ્ટેજ ડ્રોપ થાય છે અને જ્યારે તે $6\,V$ ની બેટરી સાથે લિમિટિંગ રઝિસ્ટર $R$ દ્વારા કાર્ય કરે છે ત્યારે તેમાંથી $10\,mA$ નો પ્રવાહ પસાર થાય છે. $R$ નું મૂલ્ય ......... $k\,\Omega$ છે.

Difficult
View Solution

ફોટોડાયોડ એ એક એવું ઉપકરણ છે

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo