વિધાન : ફ્લોરિન અણુનો બંધક્રમાંક એક છે. કારણ | vedclass

Name: Exam Paper Generator | JEE NEET Paper Generator | Vedclass
Brand: Vedclass
Rating: 5 (35 reviews)

Question

(A) $F_2$ અણુની ($18$ ઇલેક્ટ્રોન) $MO$ ઇલેક્ટ્રોનિક રચના: $\sigma 1s^2, \sigma^* 1s^2, \sigma 2s^2, \sigma^* 2s^2, \sigma 2p_z^2, \pi 2p_x^2 = \pi 2p_

Vedclass · Accepted Answer

જો વિધાન અને કારણ બંને સાચા હોય અને કારણ એ વિધાનની સાચી સમજૂતી હોય.

Vedclass · Answer

(A) $F_2$ અણુની ($18$ ઇલેક્ટ્રોન) $MO$ ઇલેક્ટ્રોનિક રચના: $\sigma 1s^2, \sigma^* 1s^2, \sigma 2s^2, \sigma^* 2s^2, \sigma 2p_z^2, \pi 2p_x^2 = \pi 2p_y^2, \pi^* 2p_x^2 = \pi^* 2p_y^2$ છે. બોન્ડિંગ ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા $(N_b)$ $= 10$. એન્ટિ-બોન્ડિંગ ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા $(N_a)$ $= 8$. બંધક્રમાંક $= \frac{N_b - N_a}{2} = \frac{10 - 8}{2} = 1$. અહીં $N_b - N_a = 2$ હોવાથી,એન્ટિ-બોન્ડિંગ ઓર્બિટલ્સમાં ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા બોન્ડિંગ ઓર્બિટલ્સ કરતા બે ઓછી છે. આમ,વિધાન અને કારણ બંને સાચા છે અને કારણ એ વિધાનની સાચી સમજૂતી છે.

Similar Questions

$[Ni(CO)_4]$ માં બંધારણની પ્રકૃતિને સંપૂર્ણ/યોગ્ય રીતે સમજાવી શકતો સિદ્ધાંત કયો છે?

જ્યારે $C_2$ માંથી $C_2^{2-}$ માં ફેરફાર થાય ત્યારે નીચેનામાંથી કયું વિધાન ખોટું છે?

$CO$ અણુનું $H.O.M.O.$ (Highest Occupied Molecular Orbital) શું છે?

$N(SiH_3)_3$ ના સંદર્ભમાં ખોટું વિધાન કયું છે?

બંધકારક આણ્વીય કક્ષકો અને પ્રતિબંધકારક આણ્વીય કક્ષકો વચ્ચેનો તફાવત આપો.

Vedclass Test Series

Exam Paper Generator

Online Exam Module