$A$ ક્ષેત્રફળ અને $0.025 \mu F$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે,$A$ ક્ષેત્રફળ અને પ્લેટો વચ્ચેના અંતરના $1/3$ જેટલી જાડાઈ ધરાવતી ધાતુની પ્લેટ મૂકવામાં આવે છે. જો કેપેસિટરને $100 \ V$ સુધી ચાર્જ કરવામાં આવે,તો ધાતુની પ્લેટને કેપેસિટરમાંથી દૂર કરવા માટે કરવામાં આવેલ કાર્ય કેટલું હશે ($\mu J$ માં)?

કયું વિધાન સાચું છે? એક સમાંતર પ્લેટ એર કેપેસિટર બેટરી સાથે જોડાયેલ છે. તેનો વિદ્યુતભાર,સ્થિતિમાન,વિદ્યુતક્ષેત્ર અને ઉર્જા અનુક્રમે ${Q_0}$,${V_0}$,${E_0}$ અને ${U_0}$ છે. પ્લેટો વચ્ચેની સંપૂર્ણ જગ્યા ભરવા માટે એક ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ દાખલ કરવામાં આવે છે,અને બેટરી હજુ પણ જોડાયેલ છે. હવે સંબંધિત મૂલ્યો $Q$,$V$,$E$ અને $U$ શરૂઆતના મૂલ્યો સાથે કેવી રીતે સંબંધિત છે?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર બેટરી સાથે જોડાયેલ છે. કેપેસિટર સાથે સંકળાયેલ વિદ્યુતભાર,વોલ્ટેજ,વિદ્યુતક્ષેત્ર અને ઉર્જા અનુક્રમે $Q_0, V_0, E_0$ અને $U_0$ છે. કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ દાખલ કરવામાં આવે છે પરંતુ બેટરી જોડાયેલી રહે છે. તો હવે મળતી રાશિઓ $Q, V, E$ અને $U$ અગાઉની રાશિઓ સાથે કેવી રીતે સંબંધિત છે?

બે સમાન કેપેસિટર $A$ અને $B$ ને $E$ જેટલા $E$.$M$.$F$. ધરાવતી બેટરી સાથે શ્રેણીમાં જોડવામાં આવ્યા છે. કેપેસિટર $B$ માં $K$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી સ્લેબ છે. $Q_A$ અને $Q_B$ એ $A$ અને $B$ માં સંગ્રહિત વિદ્યુતભારો છે. જ્યારે ડાયલેક્ટ્રિક સ્લેબ દૂર કરવામાં આવે છે,ત્યારે અનુરૂપ વિદ્યુતભારો $Q_A^{\prime}$ અને $Q_B^{\prime}$ થાય છે. તો:

$9 \, nF$ કેપેસીટન્સ ધરાવતા કેપેસીટરમાં $\varepsilon_{r} = 2.4$ ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ,ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્ટ્રેન્થ $20 \, MV/m$ અને પોટેન્શિયલ તફાવત $V = 20 \, V$ છે. પ્લેટોનું ક્ષેત્રફળ ....... $\times 10^{-4} \, m^{2}$ છે.

$C$ અને $2C$ કેપેસિટરને સમાંતર જોડીને બેટરી દ્વારા $V$ વોલ્ટ સુધી ચાર્જ કરવામાં આવે છે. બેટરી દૂર કરવામાં આવે છે. $C$ કેપેસિટરને $K$ ડાયઇલેક્ટ્રિકથી ભરી દેવામાં આવે છે. કેપેસિટર વચ્ચે નવો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત કેટલો થાય?