M.O. સિદ્ધાંતના આધારે,નીચેનામાંથી કયા દ્વિપરમ | vedclass

Name: Exam Paper Generator | JEE NEET Paper Generator | Vedclass
Brand: Vedclass
Rating: 5 (35 reviews)

Question

(A) $M.O.$ સિદ્ધાંત મુજબ,બંધની મજબૂતી બંધ ક્રમાંક $(B.O.)$ ના સીધા પ્રમાણમાં હોય છે.
જો એન્ટિ-બોન્ડિંગ મોલેક્યુલર ઓર્બિટલ $(M.O.)$ માંથી ઇલેક્ટ્રોન દ

Vedclass · Accepted Answer

માત્ર $(A), (C)$

Vedclass · Answer

(A) $M.O.$ સિદ્ધાંત મુજબ,બંધની મજબૂતી બંધ ક્રમાંક $(B.O.)$ ના સીધા પ્રમાણમાં હોય છે.
જો એન્ટિ-બોન્ડિંગ મોલેક્યુલર ઓર્બિટલ $(M.O.)$ માંથી ઇલેક્ટ્રોન દૂર કરવામાં આવે,તો બંધ ક્રમાંક વધે છે,જેનાથી બંધ વધુ મજબૂત બને છે.
ચાલો અણુઓનું વિશ્લેષણ કરીએ:
$1$. $NO$ ($15$ $e^-$): ઇલેક્ટ્રોન રચના $\sigma 1s^2, \sigma^* 1s^2, \sigma 2s^2, \sigma^* 2s^2, \sigma 2p_z^2, \pi 2p_x^2 = \pi 2p_y^2, \pi^* 2p_x^1$ છે. $\pi^* 2p_x$ માંથી ઇલેક્ટ્રોન દૂર કરવાથી $B.O.$ $2.5$ થી વધીને $3.0$ થાય છે.
$2$. $N_2$ ($14$ $e^-$): બોન્ડિંગ ઓર્બિટલ $(\sigma 2p_z)$ માંથી ઇલેક્ટ્રોન દૂર કરવાથી $B.O.$ $3.0$ થી ઘટીને $2.5$ થાય છે.
$3$. $O_2$ ($16$ $e^-$): ઇલેક્ટ્રોન રચનામાં $\pi^* 2p_x$ અને $\pi^* 2p_y$ માં ઇલેક્ટ્રોન હોય છે. $\pi^*$ માંથી ઇલેક્ટ્રોન દૂર કરવાથી $B.O.$ $2.0$ થી વધીને $2.5$ થાય છે.
$4$. $C_2$ ($12$ $e^-$): બોન્ડિંગ ઓર્બિટલ $(\pi 2p)$ માંથી ઇલેક્ટ્રોન દૂર કરવાથી $B.O.$ $2.0$ થી ઘટીને $1.5$ થાય છે.
$5$. $B_2$ ($10$ $e^-$): બોન્ડિંગ ઓર્બિટલ $(\pi 2p)$ માંથી ઇલેક્ટ્રોન દૂર કરવાથી $B.O.$ $1.0$ થી ઘટીને $0.5$ થાય છે.
આમ,$NO$ અને $O_2$ માટે બંધ વધુ મજબૂત બને છે.

યાદી-$I$ (અણુ)	યાદી-$II$ (બે કાર્બન પરમાણુઓ વચ્ચેના બંધની સંખ્યા અને પ્રકાર)
$A.$ ઈથેન	$I.$ એક $\sigma$-બંધ અને બે $\pi$-બંધ
$B.$ ઈથીન	$II.$ બે $\pi$-બંધ
$C.$ કાર્બન અણુ,$C_2$	$III.$ એક $\sigma$-બંધ
$D.$ ઈથાઈન	$IV.$ એક $\sigma$-બંધ અને એક $\pi$-બંધ

Similar Questions

નીચેનામાંથી કઈ કક્ષક $\pi$-બંધ તેમજ $\delta$-બંધ બનાવી શકતી નથી?

નીચે આપેલા આણ્વીય કક્ષકો (molecular orbitals) માટે સંજ્ઞાઓનો સાચો સેટ કયો છે?

નીચેનામાંથી કઈ સ્પીસીઝનો બંધ ક્રમાંક (bond order) $1.5$ છે?

Vedclass Test Series

Exam Paper Generator

Online Exam Module