निम्नलिखित सेल के लिए $298 \ K$ पर सेल विभव की गणना कीजिए:
$Cu_{(s)} | Cu^{2+}(0.1 \ M) || Cu^{2+}(1 \ M) | Cu_{(s)}$
दिया गया है: $E_{Cu^{2+}|Cu}^o = 0.34 \ V$ ($V$ में)

निम्नलिखित तीन गैल्वेनिक सेल के $EMF$ क्रमशः $E_1, E_2$ और $E_3$ हैं। तो,निम्नलिखित में से क्या सही है?
$(i)$ $Zn | Zn^{2+} (1 \ M) || Cu^{2+} (0.1 \ M) | Cu$
$(ii)$ $Zn | Zn^{2+} (1 \ M) || Cu^{2+} (1 \ M) | Cu$
$(iii)$ $Zn | Zn^{2+} (0.1 \ M) || Cu^{2+} (1 \ M) | Cu$

$298 \ K$ पर $Zn | ZnSO_{4(0.01 \ M)} || CuSO_{4(1 \ M)} | Cu$ डेनियल सेल का सेल विभव $E_1$ है। जब $ZnSO_4$ और $CuSO_4$ के विलयन की सांद्रता क्रमशः $1 \ M$ और $0.01 \ M$ कर दी जाती है,तो सेल विभव $E_2$ हो जाता है। $E_1$ और $E_2$ के बीच संबंध ज्ञात कीजिए।

एक विद्युत रासायनिक सेल जिसके लिए $E_{cell}^o = 0.80 \ V$ है,उसके लिए $\Delta G^o$ का चिह्न और $K$ का मान क्या होगा?

निम्नलिखित अभिक्रिया के लिए नर्नस्ट समीकरण दीजिए: $M_{(aq)}^{n+} + ne^{-} \to M_{(s)}$

सांद्रता सेल: $Cu | Cu^{2+} (0.01 \ M) || Cu^{2+} (0.1 \ M) | Cu$ के लिए,$E_{cell}$ की गणना करें।