નીચેના સંયોજનોને ધ્યાનમાં લો:I. H_3X-NCSII. H | vedclass

Name: Exam Paper Generator | JEE NEET Paper Generator | Vedclass
Brand: Vedclass
Rating: 5 (35 reviews)

Question

(C) આ સંયોજનોમાં મધ્યસ્થ પરમાણુ ($N$ અથવા $O$) ના અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ અને બાજુના પરમાણુ ($Si$ હોય તો) ની ખાલી $d$-કક્ષકો વચ્ચે બેક-બોન્ડિંગ થાય

Vedclass · Accepted Answer

જો $X$ કાર્બન હોય અને $Y$ સિલિકોન હોય,તો સંયોજન $I$ એ સંયોજન $II$ કરતા વધુ બેઝિક છે.

Vedclass · Answer

(C) આ સંયોજનોમાં મધ્યસ્થ પરમાણુ ($N$ અથવા $O$) ના અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ અને બાજુના પરમાણુ ($Si$ હોય તો) ની ખાલી $d$-કક્ષકો વચ્ચે બેક-બોન્ડિંગ થાય છે.$H_3C-NCS$ માટે,$N$ પરમાણુ $sp^2$ સંકરણ ધરાવે છે અને એક અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ ધરાવે છે,જે તેને વળેલું $(142^\circ)$ બનાવે છે.$H_3Si-NCS$ માટે,$N$ પરનું અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ $Si$ ની ખાલી $d$-કક્ષક સાથે $p_{\pi}-d_{\pi}$ બેક-બોન્ડિંગમાં ભાગ લે છે,જે $Si-N-C$ બંધને રેખીય $(180^\circ)$ બનાવે છે.તે જ રીતે,$(H_3C)_2O$ માટે,$O$ પરમાણુ $sp^3$ સંકરણ ધરાવે છે,જે તેને વળેલું $(110^\circ)$ બનાવે છે.$(H_3Si)_2O$ માટે,$O$ પરનું અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ $Si$ સાથે $p_{\pi}-d_{\pi}$ બેક-બોન્ડિંગમાં ભાગ લે છે,જે $Si-O-Si$ બંધકોણને વધારીને $140^\circ$ કરે છે.વિકલ્પ $C$ ખોટો છે કારણ કે $H_3Si-NCS$ એ $H_3C-NCS$ કરતા ઓછું બેઝિક છે કારણ કે $N$ પરના અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ $Si$ સાથે બેક-બોન્ડિંગમાં વપરાય છે,જેથી તે દાન માટે ઓછું ઉપલબ્ધ રહે છે.

નીચેના સંયોજનોને ધ્યાનમાં લો:
$I. H_3X-NCS$
$II. H_3Y-NCS$
$III. (H_3X)_2O$
$IV. (H_3Y)_2O$
આપેલા સંયોજનો વિશે ખોટું વિધાન કયું છે?

Similar Questions

નીચેનામાંથી કયું/કયા વિધાન સાચું/સાચા છે?

નીચેનામાંથી કયા બંધની બંધ ઉર્જા સૌથી વધુ છે?

નીચેનામાંથી કયા અણુમાં,બધા પરમાણુઓ એક જ સમતલમાં (coplanar) છે?

Vedclass Test Series

Exam Paper Generator

Online Exam Module

નીચેના સંયોજનોને ધ્યાનમાં લો:$I. H_3X-NCS$$II. H_3Y-NCS$$III. (H_3X)_2O$$IV. (H_3Y)_2O$આપેલા સંયોજનો વિશે ખોટું વિધાન કયું છે?