$C$,$Si$,અને $Ge$ માટે ઇલેક્ટ્રોન પ્રાપ્તિ એન્થાલ્પીનો સાચો ક્રમ કયો છે?

નીચેનામાંથી કયા વિકલ્પમાં તત્વોને તેમની ઇલેક્ટ્રોન પ્રાપ્તિ એન્થાલ્પીના સાચા ક્રમમાં ગોઠવવામાં આવ્યા છે?

$C, N$ અને $O$ ની પ્રથમ ઇલેક્ટ્રોન પ્રાપ્તિ એન્થાલ્પી (ઇલેક્ટ્રોન એફિનિટી) નો ક્રમ કયો હશે?

તત્વો $A, B, C$ અને $D$ ની ઇલેક્ટ્રોન પ્રાપ્તિ એન્થાલ્પી (electron affinity) ના મૂલ્યો અનુક્રમે $-135, -60, -200$ અને $-348 \ kJ \ mol^{-1}$ છે. તત્વ $B$ ની બાહ્યતમ ઇલેક્ટ્રોનિક રચના શું છે?

ફ્લોરિન,ક્લોરિન,બ્રોમિન અને આયોડિનની ઇલેક્ટ્રોન પ્રાપ્તિ એન્થાલ્પી ($kJ/mol$ માં) અનુક્રમે કેટલી છે?

ઓક્સિજન પરમાણુમાંથી ઓક્સાઇડ આયન $O^{2-}$ ના નિર્માણ માટે ઉષ્માક્ષેપક પ્રક્રિયાની જરૂર પડે છે,ત્યારબાદ નીચે દર્શાવ્યા મુજબ ઉષ્માશોષક તબક્કો આવે છે. વાયુ અવસ્થામાં $O^{2-}$ ના નિર્માણની પ્રક્રિયા પ્રતિકૂળ $(\Delta H^{\ominus} = +ve)$ છે,ભલે તેની પાસે નજીકના નિષ્ક્રિય વાયુ નિયોન જેવી સ્થાયી ઇલેક્ટ્રોન રચના હોય. આનું કારણ શું છે?
$O_{(g)} + e^{-} \longrightarrow O^{-}_{(g)} ; \Delta H^{\ominus} = -141 \ kJ \ mol^{-1}$
$O^{-}_{(g)} + e^{-} \longrightarrow O^{2-}_{(g)} ; \Delta H^{\ominus} = +760 \ kJ \ mol^{-1}$