પ્રકાશસંવેદી ધાતુની સપાટી પર આપાત થતા ફોટોનનું ઉર્જા $3W$ અને ત્યારબાદ $5W$ છે, જ્યાં '$W$' એ તે ધાતુનું કાર્ય વિધેય (work function) છે। ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનના વેગનો ગુણોત્તર શોધો.

નિકલનું વર્ક ફંક્શન $5 \text{ eV}$ છે. જ્યારે $2000 \text{ Å}$ તરંગલંબાઇનો પ્રકાશ તેના પર પડે છે,ત્યારે તે ફોટોઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરે છે. સૌથી ઝડપી ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનને રોકવા માટે જરૂરી પોટેન્શિયલ તફાવત કેટલો હશે ($\text{ V}$ માં)? (આપેલ છે: $h = 6.67 \times 10^{-34} \text{ J-s}$)

જ્યારે પ્રકાશસંવેદી સપાટી પર $\lambda_{1}$ અને $\lambda_{2}$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા અનુક્રમે $E_{1}$ અને $E_{2}$ છે. પ્રકાશસંવેદી સપાટીનું કાર્ય વિધેય (work function) કેટલું હશે?

ટંગસ્ટનમાં ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન માટેની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ $400 \ nm$ છે. $0.9 \ eV$ ની મહત્તમ ગતિઊર્જા ધરાવતા ઈલેક્ટ્રોનને ઉત્સર્જિત કરવા માટે કઈ તરંગલંબાઈના પ્રકાશનો ઉપયોગ કરવો જોઈએ? .............. $nm$.

$1 \,cm$ ત્રિજ્યા ધરાવતા ઝિંક બોલને $-0.5 \,V$ ના સ્થિતિમાન સુધી ચાર્જ કરવામાં આવે છે. આ બોલને $290 \,nm$ તરંગલંબાઇ ધરાવતા મોનોક્રોમેટિક અલ્ટ્રાવાયોલેટ પ્રકાશ દ્વારા પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. ઝિંક માટે ફોટોઇલેક્ટ્રિક થ્રેશોલ્ડ $332 \,nm$ છે. અલ્ટ્રાવાયોલેટ પ્રકાશના લાંબા સમય સુધી સંપર્કમાં આવ્યા પછી બોલનું સ્થિતિમાન ............. $V$ હશે.

થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ કરતા $3$ ગણી આવૃત્તિ ધરાવતો પ્રકાશ એક ફોટોસેન્સિટિવ પદાર્થ પર આપાત થાય છે. જો આપાત આવૃત્તિને $\left(\frac{1}{4}\right)^{\text{th}}$ કરવામાં આવે અને તીવ્રતા ત્રણ ગણી કરવામાં આવે,તો ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રવાહ