$CE$ विन्यास में दिए गए ट्रांजिस्टर एम्पलीफायर सर्किट के लिए,जहाँ $V_{CC} = 1 \text{ V}$,$R_c = 1 \text{ k}\Omega$,$R_b = 100 \text{ k}\Omega$ और $\beta = 100$ है,तो आधार धारा (base current) $I_b$ का मान क्या होगा?

एक $NPN$ ट्रांजिस्टर का उपयोग कॉमन एमिटर कॉन्फ़िगरेशन में $1\,k\Omega$ लोड प्रतिरोध के साथ एम्पलीफायर के रूप में किया जाता है। बेस-एमिटर पर $10\,mV$ का सिग्नल वोल्टेज लगाया जाता है। यह कलेक्टर करंट में $3\,mA$ का परिवर्तन और एम्पलीफायर के बेस करंट में $15\,\mu A$ का परिवर्तन उत्पन्न करता है। इनपुट प्रतिरोध और वोल्टेज गेन हैं:

ट्रांजिस्टर क्रिया के लिए,निम्नलिखित में से कौन सा कथन सही है?

एक $CE$ परिपथ में,एक ट्रांजिस्टर के कलेक्टर को $V_C = 1.5 \ V$ के स्थिर वोल्टेज पर रखा गया है। जब आधार धारा (base current) $100 \ \mu A$ से बदलकर $150 \ \mu A$ हो जाती है,तो कलेक्टर धारा $5 \ mA$ से बदलकर $10 \ mA$ हो जाती है। इस ट्रांजिस्टर के लिए धारा लाभ (current gain) $\beta$ ज्ञात कीजिए।

ट्रांजिस्टर के सक्रिय क्षेत्र (active region) में:
$(a)$ बेस,एमिटर और कलेक्टर क्षेत्रों का आकार और डोपिंग सांद्रता समान होनी चाहिए।
$(b)$ बेस क्षेत्र बहुत पतला और हल्के से डोप किया हुआ होना चाहिए।
$(c)$ एमिटर-बेस जंक्शन फॉरवर्ड बायस और बेस-कलेक्टर जंक्शन रिवर्स बायस होना चाहिए।
$(d)$ एमिटर-बेस जंक्शन और बेस-कलेक्टर जंक्शन दोनों फॉरवर्ड बायस होने चाहिए।
निम्नलिखित में से कौन सा कथन युग्म सही है?

एक ट्रांजिस्टर एम्पलीफायर के लिए,पावर गेन और वोल्टेज गेन क्रमशः $7.5$ और $2.5$ हैं। करंट गेन का मान क्या होगा?