ફોટોઈલેક્ટ્રિક સેલ માટે,આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ $(\nu)$ સાથે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $(V_o)$ ના ફેરફારને દર્શાવતો આલેખ નીચેનામાંથી કયો છે?

જો $6600 \ \mathring A$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ $2 \ eV$ કાર્યવિધેય ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય,તો ઉત્સર્જાતા ફોટો-ઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી હશે?

બે અલગ-અલગ ફોટોઈલેક્ટ્રિક સપાટીઓ $A$ અને $B$ માટે આપાત વિકિરણની આવૃત્તિના વિધેય તરીકે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલનો આલેખ દોરવામાં આવ્યો છે. આલેખ દર્શાવે છે કે $A$ નું વર્ક ફંક્શન

નીચે આપેલા આલેખમાં,જો ઢાળ $4.12 \times 10^{-15} \ V-sec$ હોય,તો '$h$' નું મૂલ્ય કેટલું હોવું જોઈએ?

$4.25\, eV$ ઉર્જા ધરાવતો ફોટોન જ્યારે ધાતુ $A$ ની સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $T_A\, eV$ અને ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ ${\lambda _A}$ છે. $4.70\, eV$ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોન દ્વારા બીજી ધાતુ $B$ માંથી મુક્ત થતા ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા ${T_B} = ({T_A} - 1.50)\, eV$ છે. જો આ ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ ${\lambda _B} = 2{\lambda _A}$ હોય,તો:

સીઝિયમ $(Cs)$ અને લિથિયમ $(Li)$ ધાતુઓના વર્ક ફંક્શન અનુક્રમે $1.9 \ eV$ અને $2.5 \ eV$ છે. જો આપણે આ બે ધાતુની સપાટી પર $550 \ nm$ તરંગલંબાઇનો પ્રકાશ આપાત કરીએ,તો ફોટોઇલેક્ટ્રિક અસર કયા કિસ્સામાં શક્ય છે?