એક પ્રકાશસંવેદનશીલ પદાર્થ માટે, વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) $W_0$ છે અને સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V$ છે. આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઇ કેટલી હશે? ($h$ = પ્લાન્કનો અચળાંક, $c$ = પ્રકાશનો વેગ, $e$ = ઇલેક્ટ્રોનિક ચાર્જ)

એક ચોક્કસ ધાતુનું કાર્ય વિધેય (work function) $2.3 \,eV$ છે. જો તેના પર $2 \times 10^6 \,m^{-1}$ તરંગ સંખ્યા (wave number) ધરાવતો પ્રકાશ આપાત થાય,તો ઉત્સર્જિત થતા સૌથી ઝડપી અને સૌથી ધીમા ઇલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા અનુક્રમે કેટલી હશે?

એક ચોક્કસ પ્રયોગમાં ફોટોઈલેક્ટ્રિક કટ-ઓફ વોલ્ટેજ $1.5 \text{ V}$ છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા . . . . . . હશે.

$5.5 \ eV$ ઉર્જા ધરાવતો ફોટોન ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે,જે $4.0 \ eV$ ની મહત્તમ ગતિજ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરે છે. આ ઈલેક્ટ્રોન માટે જરૂરી સ્ટોપિંગ વોલ્ટેજ .......... $V$ છે.

એક ફોટો-એમિસિવ સેલમાં,ઉત્તેજક તરંગલંબાઈ $\lambda$ માટે,ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $K$ છે. જો ઉત્તેજક તરંગલંબાઈ બદલીને $\frac{3\lambda}{4}$ કરવામાં આવે,તો સૌથી ઝડપી ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા કેટલી હશે?

નીચે બે વિધાનો આપેલા છે: એકને વિધાન $A$ તરીકે અને બીજાને કારણ $R$ તરીકે લેબલ કરવામાં આવ્યું છે.
વિધાન $A$ : પ્રકાશની આવૃત્તિ વધવાથી ફોટોનની સંખ્યા વધે છે.
કારણ $R$ : ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ સાથે વધે છે.
ઉપરોક્ત વિધાનોના પ્રકાશમાં,નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સૌથી યોગ્ય જવાબ પસંદ કરો: